Реферат: Изучение поверхности полупроводника с помощью сканирующего электронного микроскопа

Первинний електронний промінь (зонд) формується у вакуумному стовпчику (електронній гарматі) растрового електронного мікроскопа (мал.6). Електрони вилітають з розжарюваного катода, і прискорюються електричним полем напругою 1-50 кв. Промінь фокусується трьома електромагнітними конденсорними лінзами і за допомогою котушок, що відхиляють, сканується за зразком.

Випроменені зразком електрони викликають у сцинтилляторі світлові спалахи (фотони). Швидкі пружно розсіяні (відбиті) електрони з високою енергією без значного підведення енергії попадає в сцинтиллятор; вторинні електрони з низькою енергією при русі до сцинтиллятору одержують прискорення в результаті додатка електричного поля. Світлові промені залишають вакуумну камеру через світловод і в фотомножнику, що примикає до нього перетворюються у світлові імпульси. За допомогою останніх, об'єкт начебто висвітлюється сцинтиллятором, установленим на бічній стороні об'єкта, а спостереження ведеться з боку напрямку первинного електронного променя.

РОЗДІЛ ІІ. ПОСТАНОВКА ЗАДАЧІ

За допомогою електронного мікроскопа, використовуючи малі збільшення до 20X можна спостерігати великі площі поверхні, а також одержувати знімки окремих ділянок ушкоджень і зломів при 100000 кратному збільшенні.

Найбільш важливі області застосування:

1) аналіз експлуатаційних ушкоджень;

2) джерело інформації про внутрішню будову металу;

3) аналіз поверхні напівпровідникових матеріалів.

Для виконання дипломної роботи було поставлено таку задачу:

1. Вивчити будову та принцип роботи електронного мікроскопа.

2. Вивчити конструкцію та принцип роботи растрового електронного мікроскопа.

3. Провести юстировку електронно-оптичної схеми електронного мікроскопа.

4. Розробити схему сканування.

5. Виготовити пристрій для реєстрації електронів.

6. Розробити схему для реєстрації фотонів.

7. Приготовити металеві та напівпровідникові зразки для досліджень.

8. Провести дослідження поверхні зразків.

9. Оформити результати.

РОЗДІЛ ІІІ. ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНА ЧАСТИНА

В ході проведення експериментальної частини дипломної роботи були використані такі прибори:

· Електронний мікроскоп TESLA BS500. Гарантована дозволяюча здатність якого 7 , коефіцієнт збільшення 500 – 100000

· Підсилювач електрометричний У5-7. Гранична чутливість якого 10-10 А (V)

· Циліндр Фарадея. (Виготовлений вручну)

· Фотодіод

· Генератор пилкообразних імпульсів

· Самописець


ϳ? ??? ????????? ????????? ?????? ???? ????????? ????????? ??????????-???????? ????? ???????????? ??????????, ?????????? ????? ?????????? ? ??????????? ???????? ??? ?????????? ??????????.

Мал. 7. Схема реєстрації вторинних електронів

1. – катод. 2. – анод. 3. – відхиляючі котушки. 4. – циліндр Фарадея. 5. – зразок. 6. – підсилювач електрометричний У5-7. 7. – самописець. 8. – генератор пилкообразних імпульсів


(мал.7). Розроблено схему для реєстрації фотонів(мал.8).

Мал. 8. Схема реєстрації вторинних електронів

1. – катод. 2. – анод. 3. – відхиляючі котушки. 4. – фотодіод. 5. – зразок. 8. – генератор пилкообразних імпульсів

Приготовлено металеві та напівпровідникові зразки для досліджень:

1. металева сітка з розміром клітини а = 0.25 мм.

К-во Просмотров: 566
Бесплатно скачать Реферат: Изучение поверхности полупроводника с помощью сканирующего электронного микроскопа