Реферат: Изучение поверхности полупроводника с помощью сканирующего электронного микроскопа

65

75

100

250

Прикладена напруга, В

6

18

75

80

100

175

Опір тіла людини, Ом

6000

3000

1150

1065

1000

700

4. Величина прикладеної напруги. Від величини напруги залежить можливість пробою шкіри і зниження опору тіла людини. Пробій верхнього порогового шару шкіри (епідерміса) можливий при напрузі 50 В та вище, а напруга 200 В завжди викликає пробій наружного шару шкіри. Найбільш часто нещасні випадки електротрвматизму відбуваються при напругах 127, 220 та 380 В.

5. Шлях струму у тілі людини. Якщо на шляху струму виявляються життєво важливі органи – серце, легені, головний мозок, то небезпека враження дуже велика, так як струм діє безпосередньо на ці органи. Можливих шляхів струму у тілі людини багато, та самими розповсюдженими є: рука-рука, рука-нога, нога-нога, голова-рука, голова-ноги.

6. Тривалість дії струму на організм людини. Чим коротша дія, тим менша небезпека враження.

7. Індивідуальні особливості людини. Характер дії при одному і тому ж струмі залежить від стану нервової системи та усього організму, від маси людини, її фізичного розвитку.

Основними причинами нещасних випадків від дії електричного струму на даному експериментальному обладнанні можуть бути:

- випадковий дотик або наближення на небезпечну відстань до струмоведучих частин, що знаходяться під напругою;

- поява напруги дотику на металічних конструктивних частинах електрообладнання (корпусах, кожухах та ін.) у результаті пошкодження ізоляції та інших причин.

При наявності можливості одночасного дотику до металічних корпусів обладнання і металоконструкцій приміщення дане лабораторне приміщення потрібно віднести до приміщення з підвищеною небезпекою.

Основними заходами захисту від враження електричним струмом при таких умовах є:

- забезпечення недоступності струмоведучих частин, що знахо­дяться під напругою, для випадкового дотику;

- електричний розділ мережі;

К-во Просмотров: 563
Бесплатно скачать Реферат: Изучение поверхности полупроводника с помощью сканирующего электронного микроскопа