Реферат: Конструирование микросхем и микропроцессоров

Выполнил: студент группы Р-72

Густов А.М.

Руководитель: доцент кафедры РТУиС,

кандидат технических

наук Мишин Г.Т.

Москва, 1994

Задание на курсовое проектирование

В

данном курсовом проекте требуется разработать комплект конструкторской документации интегральной микросхемы К 237 ХА2. По функциональному назначению разрабатываемая микросхема представляет собой усилитель промежуточной частоты. Микросхема должна быть изготовлена по тонкопленочной технологии методом свободных масок (МСМ) в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИМС).

Рис. 1. Схема электрическая принципиальная

Таблица 1. Номиналы элементов схемы:

Элемент	Номинал	Элемент	Номинал	Элемент	Номинал	Элемент	Номинал
R1	950 Ом	R7	4,25 кОм	R13	1 кОм	R19	1 кОм
R2	14 кОм	R8	12,5 кОм	R14	3,5 кОм	C1	3800 пФ
R3	45 кОм	R9	500 Ом	R15	10 кОм	VT1-VT8	КТ 312
R4	35 кОм	R10	3 кОм	R16	3,5 кОм	E	7,25 В
R5	12,5 кОм	R11	10 кОм	R17	2,5 кОм
R6	950 Ом	R12	500 Ом	R18	1 кОм

Для подачи на схему входного сигнала и снятия выходного к микросхеме требуется подключить некоторое количество навесных элементов. Одна из возможных схем включения приведена на следующем рисунке.

Рис. 2. Возможная схема включения

Таблица 2. Номиналы элементов схемы включения

Элемент	Номинал	Элемент	Номинал
RA	8,2 кОм	CB	1 мкФ
RB	43 Ом	CC	0,033 мкФ
RC	2,2 кОм	CD	0,015 мкФ
RD	1,5 кОм	CE	4700 пФ
CA	3300 пФ	CF	3300 пФ

Технические требования:

Конструкцию микросхемы выполнить в соответствии с электрической принципиальной схемой по тонкопленочной технологии методом свободных масок в корпусе.

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--