Реферат: Конструирование микросхем и микропроцессоров

Остальные резисторы данной группы удовлетворяют этому условию.

Расчет контактных переходов для резисторов второй группы

1. Исходные данные для высокоомных резисторов: , где

Rн - номинальное сопротивление резистора;

- относительная погрешность контактирования;

- удельное поверхностное сопротивление;

bmin - минимальная ширина резистора;

2. Рассчитаем максимально допустимое значение сопротивления контактного перехода:

Ом;

3. Рассчитаем сопротивление контактного перехода:

Ом;

4. Проверка условия:

Rк доп должно быть больше, чем Rк п. Условие соблюдается.

5. Находим минимальную длину контактного перехода:

мм;

6. Находим реальную длину контактного перехода:

Остальные резисторы данной группы удовлетворяют этому условию.

Расчет геометрических размеров тонкопленочных конденсаторов, выполненных методом свободной маски (МСМ)

1. Исходные данные:

а). конструкторские: , где

Cн - номинальная емкость конденсатора;

gC - относительная погрешность номинальной емкости;

Up- рабочее напряжение на конденсаторе;

T°max C - максимальная рабочая температура МС;

tэкспл - время эксплуатации МС.

б). технологические: , где

Db(Dl) - абсолютная погрешность изготовления;

Dlустан - абсолютная погрешность совмещения трафарета;

- относительная погрешность удельной емкости.