Реферат: Конструирование микросхем и микропроцессоров

2. Выбор материала диэлектрика:

В качестве материала диэлектрика будем использовать “СТЕКЛО ЭЛЕКТРОВАКУУМНОЕ”. Характеристики этого материала приведены в таблице:

Таблица 10. Материал диэлектрика конденсатора

Материал	С 0, пФ/мм 2	e	tg d	E пр, В/мкм	a с, 10 -4	S, %/1000ч
Стекло электровакуумное С41-1 НПО.027.600	100 - 300	5 - 6	0,002 - 0,005	200 - 400	2	1,5

3. Определение толщины диэлектрика:

мкм, где

Кз - коэффициент запаса, необходимый для обеспечения надежностных характеристик и равный 2 - 4. Примем Кз = 2.

4. Определение удельной емкости по рабочему напряжению:

5. Определение коэффициента формы конденсатора:

Для большей компактности микросхемы выберем коэффициент формы конденсатора равным двум. Конденсатор такой формы удобнее разместить на подложке, чем квадратный.

Кф = 2;

6. Определение относительной погрешности старения:

, где

tисп - время испытания за которое определен коэффициент старения S;

tисп = 1000 часов.

7. Определение относительной температурной погрешности:

=0,0002(150-20)=0,026

8. Вычисление относительной погрешности:

= 0,23-0,115-0,026-0,075 = 0,014;

9. Определение удельной емкости по относительной погрешности:

;

10. Определение вида конденсатора:

Результаты расчета показали, что конденсатор будет изготавливаться неподстраиваемым. Это наиболее оптимальный вид конденсатора.

11. Выбор удельной емкости:

Удельная емкость выбирается из следующего соотношения:

и удовлетворять диапзону самого материала.

С0 = 300 пФ/мм2