Реферат: Конструирование микросхем и микропроцессоров

Видим, что неравенство выполняется, следовательно эти резисторы выполняются из одного материала. Для того чтобы резисторы были как можно меньше выберем материал с как можно большим удельным поверхностным сопротивлением (). Остановим свой выбор на материале “МЛТ-3М” . Этот материал обладает следующими характеристиками:

Таблица 6. Материал для первой группы резисторов

Наименование

, Ом/

a R , 1/ °C

P 0 , мВт/мм 2

S, %/10 3 час

1

Сплав МЛТ-3М sК0,028,005,ТУ

200 -500

0,0002

10

0,5

Как уже говорилось, лучше взять как можно больше, т.е. в данном случае это =500. Этот материал обладает неплохими характеристиками, присущими резистивным материалам, а именно: низким ТКС (aR), низким коэффициентом нестабильности (старения) (S), хорошей адгезией и технологичностью.

2. Вычислим относительную температурную погрешность:

=0,0002(150-20)=0,026

3. Вычислим относительную погрешность старения:

, где

tисп - время испытания за которое определен коэффициент старения S;

tисп = 1000 часов.

4. Вычислим относительную погрешность контактирования:

= 0,01 - 0,03 Þ зададимся =0,01

5. Вычислим относительную погрешность формы:

gкф = gR - - - - = 0,2 - 0,1 - 0,026 - 0,025 -0,01=0,039;

6. Определение вида резистора (подстраиваемый или неподстраиваемый):

gкф > Db/ bmax , где bmax = 2 мм Þ gкф > 0,01 Þ резистор неподстраиваемый.

Предпочтение отдается неподстраиваемому резистору.

7. Вычислим коэффициент формы рассчитываемого резистора:

= 950/500 = 1,9;

8. Определение вида резистора (прямой или меандр):

Если коэффициент формы меньше 10, то резистор прямой, а если больше десяти, то резистор изготовляется в форме меандра. Предпочтение отдается прямому резистору. В данном случае резистор изготовляется прямым.

9. Определение ширины резистора по мощности рассеяния:

10. Определение основного размера по заданной точности:

, где Dl=Db=0,02 при условии, что коэффициент формы больше единицы.

11. Выбор основного размера:

Þ b = 0,78 мм

К-во Просмотров: 378
Бесплатно скачать Реферат: Конструирование микросхем и микропроцессоров