Реферат: Литография высокого разрешения в технологии полупроводников

КАЛУЖСКИЙ ФИЛИАЛ МОСКОВСКОГО

ГОСУДАРСТВЕННОГО ТЕХНИЧЕСКОГО

УНИВЕРСИТЕТА ИМЕНИ Н.И. БАУМАНА

Р Е Ф Е Р А Т

по НИРС

ЛИТОГРАФИЯ ВЫСОКОГО

РАЗРЕШЕНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Выполнил : Тимофеев А.

гр. ФТМ-61

Руководитель: Головатый Ю.П.

г. Калуга, 1996 г.

Содержание.

стр.

1. Фотолитография. 3

1.1 Ведение. 3

1.2 Основы оптики. 5

1.3 Контактная печать и печать с зазором. 8

1.4 Проекционная печать. 10

1.5 Совмещение. 12

1.6 Фотошаблоны. 13

1.7 Перспективы развития фотолитографии. 14

2. Электронно-лучевое экспонирование. 15

2.1 Введение. 15

2.2 Характеристики электронно-лучевых установок. 17

2.3 Поглощение излучения высоких энергий. 20

2.4 Производительность систем ЭЛ экспонирования. 20

2.5 Радиационные резисты. 22

2.6 Оборудование для ЭЛ экспонирования. 23

2.7 Совмещение. 27

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--