Реферат: Литография высокого разрешения в технологии полупроводников

Нанометровое разрешение

Автоматизированный контроль

Нанометровая точность совмеще-ния

Более широкий выбор резистов

Незаменима при изготовлении фотошаблонов

С помощью ЭЛ литографии создаются шаблоны для всех остальных видов литографии (с УФ, рентгеновским и ионным экспонированием). Не посредственное ЭЛ экспонирование пластин будет дополнять оптическую литографию и в будущем станет доминирующим в субмикронной технологии.

В настоящее время существует здоровое соперничество систем пошаговой проекционной и контактной УФ печати, но, возможно, в ближайшем будущем на рынке появится установки электронно-лучевого и рентгеновского экспонирования. Минимальный размер элементов изображения зависит от формы сечения входного пучка , его энергии и от области простирания обратно рассеянного излучения.

Характеристики электронно-лучевых установок.

Разрешение зависит, в частности, от распределения интенсивности на краю луча еще до того, как он поглотится в резисте. Используются два типа пучков: гауссов пучок круглого сечения и пучок с квадратным или прямоугольным сечением. Для гауссова пучка пространственное разрешение d принимается равным ширине распределения интенсивности на полувысоте. Удовлетворительная точность передачи изображения получается, если величина d не превосходит по крайне мере 1/5 минимальной ширины линии. Таким образом, необходимо провести гораздо больше элементарных актов экспонирования, чем при использовании пучка квадратного сечения. Для такого пучка минимальная ширина линии рисунка равна размеру квадратного пятна. Для достижения одинакового разрешения ширина линии краевого спада распределения интенсивности (от 90 до 10%-ного уровня)должна быть равна полуширине гауссова луча. Ширина краевого спада квадратного 1,5 мкм луча составляет примерно 0.2 мкм.

Разрешение r должно превышать толщину резиста t, а точность совмещения должна быть лучше 1/5 разрешения. Для электронных пучков было достигнуто совмещение ±0.1 мкм. В диапазоне энергий экспонирования 10-30 кэВ основным фактором, ограничивающим разрешение, является обратное рассеяние электронов от подложки. Использование гауссовых пучков или недостаточное перекрывание пятен может быть причиной появления неровностей на краю и размытости рисунка. С другой стороны, отсутствие обратного рассеяния от соседних экспонируемых элементов приводит к недоэкспонированию субмикронных изолированных линий. Узкие (<1 мкм) линии плохо экспонируются обратнорассеянными электронами по сравнению с широкими, поэтому для их качественного экспонирования требуется 2-3-кратное увеличение дозы или большее время проявления.

Близко расположенные элементы получают избыточную дозу из-за обратного рассеяния от соседних элементов (взаимный эффект близости), что вызывает сужение неэкспонированных участков. Если берется более тонкая кремниевая пластина для ослабления обратного рассеяния, то взаимный эффект близости практически не наблюдается. Вот основные методы ослабления взаимного эффекта близости:

а) коррекция дозы и размера пятна или применение мембран, протравленных с обратной стороны;

б) использование многослойного резиста с барьерным слоем из металла и толщиной чувствительного слоя 0.1-0.2 мкм;

в) использование электронных пучков с энергией 50-100 кэВ;

г) обработка верхнего слоя резиста (толщиной 100 нм), в котором сформировано изображение, кремний- или металло-держащим мономером и последующее сухое проявление;

д) использование высококонтрастных резистов.

Рис. 12. Распределение плотности поглощенной в резисте энергии и величины, используемые в определении контраста для ЭЛ-экспонирования.

Для сравнения разрешающей способности фото- и электронно-лучевого экспонирования Стикел и Лангер предложили вместо МПФ использовать Скс -контраст краевого спада. В общем случае МПФ определяется как отношение разности максимальной и минимальной интенсивностей к их сумме. 60 %-ное значение МПФ принято считать приемлемым для литографического процесса, допускающего 25 %-ную засветку и соответствующее утоньшение после проявления областей резиста, не подлежавших экспонированию. Утоньшение резиста допускается при жидкостном травлении, но не при РИТ, в ходе которого может быть удалено до 50-% резистной

пленки. 60 %-ное значение МПФ также предполагает использование фоторезиста с нелинейной характеристикой, обеспечивающей подавление нежелательной засветки:

Скс=(2/p)arctg(W/E)МПФ, (21)

где W/E - наклон спада (рис. 12) от уровня 90 до 10 %.

Рис. 13. Краевой контраст для случаев УФ- и ЭЛ-экспонирования 0.5 мкм резиста на кремниевой пластине.

Для сравнения на (рис. 13) показан зависимости краевого контраста от ширины линии в случаях экспонирования электронным лучем и УФ излучением (254 и 400 нм). Для того чтобы ширину краевого спада интенсивности, а, следовательно, и точность совмещения поддерживать на уровне четверти минимальной ширины линии, краевой контраст должен быть выше 70 % для электронно-лучевого и 83 % для оптического экспонирования.

Изображение такого же качества, какое обеспечивается при экспонировании 1 мкм лучом с постоянной или переменной формой сечения, можно получить лишь в системах экспонирования с когерентным источником ДУФ излучения (с учетом эффектов стоячих волн).

Для негативных резистов, слабо зависящих от скорости (длительности) появления, важен только краевой контраст поглощенной энергии; зависимость скорости проявления R от глубины Z, определяющая в конечном итоге профиль изображения, для позитивного резиста имеет вид:

dR/dZ=(dR/dE)(dE/dZ). (22)

Первый сомножитель правой части выражения (22) отражает взаимосвязь скорости растворения и поглощенной энергии E, а второй влияние краевого распределения E. Лишь при больших дозах, соответствующих максимальным значениям МПФ, влияние проявителя, зависящее от контраста и нелинейности резиста, мало. При умеренных же и малых дозах, проявитель существенно определяет форму профиля проявленного изображения. В случае тонкого резиста распределение поглощенной энергии можно считать однородным по глубине , но для рези?