Реферат: Математическое моделирование биполярных транзисторов типа p-n-p

BR:=BR*(1+(T-TNOM)*TCB*10e-6);

gotoxy(col+39,row+8);

end;

procedure OutputResult;

begin

clrscr;

writeln(' It is result ');

K:=1.38e-23;

q:=1.6e-19;

expon:=exp(1.0);

FIt:=K*T/q;

gotoxy(col+3,row+3);

write('[FIt] ');

gotoxy(col+39,row+3);

write(FIt);

Is:=Is0 * (1+ Uec/VA) * st(T/TNOM,3) * st(expon,-EG/K*(1/T-1/TNOM));

gotoxy(col+3,row+4);

write('[Is]');

gotoxy(col+39,row+4);

write(Is);

Uc:=Fit*ln(FIt/(Is*RJ));

gotoxy(col+3,row+5);

write('[Uc] ');

gotoxy(col+39,row+5);

write(Uc);

if (st(expon,(Uec/FIt))-1) < 1e4800/Is then

Ic:= Is * (st(expon,Uc/FIt)-1)

else Ic:= 1e4800;

gotoxy(col+3,row+6);