Реферат: Математическое моделирование биполярных транзисторов типа p-n-p

1: gotoxy(col+6,row+25);

write('Accept parameters of transistor (Y/N) ');

an:=readkey;

case an of 'y': goto 3;

'Y': goto 3;

'n': goto 2;

'N': goto 2;

else

begin

sound(500);

delay(1000);

nosound;

goto 1;

end;

end;

3:;

end;

Procedure InputCurrent;

Label 1,2,3;

begin

clrscr;

TNOM:=27;

T:=21;

Ueb:=0.8;

Uec:=2;

Ucb:=-1.2;

gotoxy(col+25,row+1);

write(' Default parameters');

gotoxy(col+3,row+3);