Реферат: Математическое моделирование биполярных транзисторов типа p-n-p

textbackground(1);

textcolor(14);

col:=-2;

row:=0;

repeat

clrscr;

writeln(' Mogel p-n-p transistor Eabers-Mol whith 1 SIDI');

writeln;

writeln(' Main menu');

writeln;

writeln('1: Input parameters of transistor');

writeln('2: Input current parameters');

writeln('3: Output text result');

writeln('4: Input-graphic result');

writeln('5: Output-graphic result');

writeln('ECS:exit');

key:=Readkey;

case key of '1': InputTrans;

'2': InputCurrent;

'3': OutputResult;

'4': IGraph;

'5': OGraph;

#27: halt ;

else

begin

sound(500);

delay(1000);

nosound;

end;