Реферат: Математическое моделирование биполярных транзисторов типа p-n-p
until key=#27;
{donewincrt;}
end.
4. Решение контрольной задачи 5. Моделирование электронных устройств
.model KT315v NPN(Is=21.11f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=157 Bf=81.09 Ise=321.2f
+ Ne=1.458 Ikf=.2017 Nk=.4901 Xtb=1.5 Br=1 Isc=84.36f Nc=1.317
+ Ikr=1.671 Rb=12 Rc=1.426 Cjc=9.716p Mjc=.33 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=18.5p
+ Mje=.33 Vje=.75 Tr=275.6n Tf=321.4p Itf=1 Xtf=2 Vtf=60)
График вида зависимости Ic = f(Ube) График вида зависимости Ube = f(Ibe)
программы ORCAD 9.1; моей программы
Заключение
Программа, написанная по указанному алгоритму, подтвердила справедливость этих алгоритмов и относительную точность математического описания биполярных транзисторов. Результаты полученной программы сравнивались с профессиональными CAD программами для одних и тех же транзисторов и одинаковых соответствующих параметрах. Немного изменяя входные параметры возможно достаточно близко приблизится к их результатам.
Полученная программа позволяет решать поставленные перед нею проблемы, но не обладает удобством в использовании и требует доработки.
В дальнейшем возможно добавление более сложных моделей, позволяющих проводить анализ по постоянному току, но и по переменному на высоких частотах, в режиме малого сигнала.
Для уменьшения погрешности при вычислениях можно написать программу под Windows, где разрядность данных увеличена и достигает 64 бита. Этот метод позволит улучшить удобство в работе с программой.
Библиографический список
1. Влах Н., Сингхал К. Машинные методы анализа и проектирования электронных схем.
М. : Радио и связь, 1988 – 560 стр.
2. В. И. Лачин, Н.С. Савёлов Электроника.
3. Носов Ю. Р., Петросянц К. О., Шилин В. А. Математические модели Элементов интегральной электроники.
М. : Сов. радио, 1976 – 304 стр.
4. Сигорский В. П., Петренко А.И. Алгоритмы анализа электронных схем.
М. : Сов. радио, 1976 – 608 стр.
5. Мигулин И. Н., Чаповский М. З. Усилительные устройства на транзисторах.
6. Лекции по дисциплине “Методы анализа и расчёта электронных схем”.