Реферат: Монокристаллический кремень

химическую реакцию с расплавом кремния.

Выращивание кристаллов в вакууме удовлетворяет указанным требованиям и , кроме того, имеет ряд

преимуществ,в частности ,способствует удалению

из системы моноокиси кремния, тем самым предо-

твращаяет ее осаждение на стенках камеры.При

выращивании в газовой атмосфере чаще всего используют инертные газы :аргон и гелий.

Инертные газы могот находиться при атмосферном или пониженном давлении.В промышленных производстве для этих целей используются аргон

что объясняеться его низкой стоимостью.

Оптимальный расход газа составляет 1500л на 1кг

выращенного кремния.Аргон поступает в камеру при

испарении из жидкого источника и должен соответствовать требованиям высокой чистоты

в отношении содержания влаги,углеводородов,

и других примесей.

Блок управления.

Блок управления может включать в себя разные

приборы.Он предназначен для контроля и

управления такими параметрами процесса,как

температура,диаметр кристалла,скорость вытягивания и скорость вращения.Контроль

может проводиться по замкнутому или разомкнутому контуру.Параметры,включающие

скорости вытягивания и вращения,имеют большую

скорость отклика и чаще всего контролируються

по принципу замкнутого контура с обратной связью.

Большая тепловая масса обычно не требует

кратковременного контроля температуры.Например

для контроля диаметра растущего кристалла ин-

фракрасный датчик температуры может быть сфокусирован на границе раздела фаз расплав-

монокристалл и использован для определения температуры мениска.Выход датчика связан с

механизмом вытягивающего устройства и контро-

лирует диаметр слитка путем изменения скорости вытягивания.Наиболее перспективными управляющими являються цифровые микропроцессорные системы.Они позволяют уменьшить непосредственное участие оператора в