Реферат: Проектирование модуля АФАР
Сопротивление эмиттера:
0,14 Ом;
Сопротивление коллектора:
0,7 Ом;
Индуктивность вывода базы:
0,14 нГн;
Индуктивность вывода эмиттера:
0,4 нГн;
Индуктивность вывода коллектора:
0,7 нГн;
Допустимая температура перехода:
150 °С;
Критический ток:
1,5 А;
Допустимое напряжение эмиттер-база:
3,5 В;
Допустимая рассеиваемая мощность:
10 Вт.
Результаты расчетов:
Параметры режима транзистора (2T919A, схема с ОБщей базой)
|
Напряженность граничного режима: |
0,781; |
|
Амплитуда коллекторного напряжения: |
14,839 В; |
|
Амплитуда n -й гармоники коллекторного тока: |
0,07412 А; |
|
Максимальный коллекторный ток: |
I к max =0,2912 А; |
|
Постоянная составляющая коллекторного тока: |
I 0к =0,05941 А; |
|
Амплитуда тока возбуждения: |
К-во Просмотров: 480
Бесплатно скачать Реферат: Проектирование модуля АФАР
|