Реферат: Проектирование модуля АФАР

(для схемы ОЭ — 0,7; для схемы ОБ — 0,8).

При этом P _вых1 и U _к0 берутся для выбранного транзистора. При невыполнении этого условия можно несколько увеличить S _гр (на 10… 15%).

Предлагаемая методика расчета исходит не из P _вых1 , а из мощности Р _г , развиваемой эквивалентным генератором тока i _г . Мощность Р _г в схеме ОЭ следует взять на 10 20% меньше, чем требуемая P _вых1 , которая имеет приращение из-за прямого прохождения части входной мощности. На f>f _rp в схеме ОБ Р _г берется на 25... 50% выше P _вых1 , на f<f _rp эта доля меньше.

К начальным параметрам расчета относится температура корпуса транзистора. Ее можно задать как Т _к =Т _с +(10… 20) °С с учетом перегрева радиатора относительно окружающей среды.

Если после проведения расчета на значения , f ' в типовом режиме K _р отличается от справочного значения не более, чем на , то можно считать, что параметры эквивалентной схемы, принятые в расчете, оценены правильно. Если модуль пикового напряжения , то это означает, что значение емкости С _э занижено. Для удобства расчета исходные данные целесообразно свес­ти в таблицу в следующем порядке:

P _вых1 , Bт;
P _г , Bт;
f , МГц;
f _гр , МГц;
U _{кэ доп} , В;
U _{кб доп} , В;
U _{бэ доп} , В;
U' , В;
U _в0 , В;
U _к0 , В;
S _гр , А/В;
R _пк , °С/Вт;
Т _п , °С;
Т _к , °С;
h _21э ;
C _к , пФ;
C _кп , пФ;
C _э , пФ;
r _б , Ом;
r _э , Ом;
r _к , Ом;
L _б , нГн;
L _к , нГн;
L _э , нГн;
P _{к доп} , Вт.

Приводимый ниже порядок расчета граничного режима работы при U _в0 =0 может быть использован для включения транзистора как по схеме ОЭ, так и по схеме ОБ. Там, где формулы расчета для схем ОЭ и ОБ отличаются, будет сделана пометка «ОЭ» или «ОБ». Все расчеты проводятся в системе СИ.

1. Напряженность ξ_гр режима:

.

2. Амплитуда напряжения и тока первой гармоники эквивалент­ного генератора:

.

3. Пиковое напряжение на коллекторе:

U _{к пик} = U _к0 +U _г1 <U _{кэ доп} .

При невыполнении неравенства следует изменить режим или вы­брать другой тип транзистора.

4. Параметры транзистора:

; ; .

5. Находим значения параметров А и В :

, , где .

С помощью графика A (γ₁ ) на рис. 4 определяем коэффициент разложения γ₁ (θ). Затем по табл. 3.1. [1] для найденного γ₁ (θ) опреде­ляем значения, θ, cos(θ) и коэффициент формы g ₁ (θ).

6. Пиковое обратное напряжение на эмиттере

.

З

атем в пп. 7… 22 рассчитываются комплексные амплитуды токов и напряжений на элементах эквивалентных схем (см. рис. 3). За вектор с нулевой фазой принят ток и .

Рис. 4. Зависимость параметра A от коэффициента разложения симметричного косинусоидального импульса γ₁ (θ)

7. , где .

8. .

9. .