Реферат: Проектирование модуля АФАР
где берут (для выбранного θ) также из табл. 3.1.
Если напряжение смещения должно быть запирающим, то можно применить автосмещение, включив сопротивление , заблокированное конденсатором. При отпирающем смещении требуется дополнительный источник напряжения.
3.2. Методика расчета режима транзистора
мощного СВЧ умножителя частоты
В промежуточных каскадах радиопередающих устройств СВЧ применяют умножители частоты о выходной мощностью до сотен милливатт. Такие СВЧ-умножители являются уже мощными. Умножение частоты в них достигается выделением нужной n- й гармоники из импульса коллекторного тока. При расчете режима транзистора, работающего на частотах 108 ... 109 Гц (сотни МГц), используют кусочно-линейную модель транзистора. При этом дополнительно учитывают индуктивности выводов транзистора, емкость закрытого эмиттерного перехода и потери в материале коллектора. Предполагают, что транзистор включен по схеме с общей базой (ОБ) и возбуждается от генератора гармонического тока. Схема ОБ обеспечивает лучшие энергетические параметры мощного умножителя СВЧ, чем схема с общим эмиттером (ОЭ). В схеме ОЭ за счет обратной связи через емкость С к импульс коллекторного тока деформируется и имеет малые коэффициент формы gn (θ), а следовательно, и КПД, и мощность в нагрузке.
Выходная мощность умножителя ограничена несколькими факторами. К ним относятся предельно допустимые значения обратного напряжения на эмиттерном переходе U бэ доп и мощности рассеяния, а также критический коллекторный ток I кр 1 .
При выборе угла отсечки надо учитывать следующее. Пиковое обратное напряжение U бэ пик увеличивается при уменьшении угла отсечки θ, что может ограничить мощность, отдаваемую умножителем частоты. При больших углах отсечки уменьшается КПД и растет рассеиваемая мощность Р к , что может привести к нереализуемости режима транзистора. Если при оптимизации мощности умножителя частоты опираться только на ограничения по коллекторному току, считая максимальный i к max =I кр , то оптимальным углом отсечки при n =2 оказывается θ=60°, а при n =3 — θ=40°. При этих углах отсечки КПД будет достаточно высоким, но надо не допустить превышения U бэ доп . Поэтому часто угол отсечки и для n =2, и n =3 выбирают равным θ=60°.
Расчет режима транзистора ведут на заданную выходную мощность транзистора P вых n на рабочей частоте nf , определенную по выходной мощности умножителя P вых n и КПД его выходной согласующей цепи hк вых : Р вых n =Р вых /hк вых .
Для расчета используем методику, которая имеет в своей основе следующие допущения:
интервал рабочих частот соответствует неравенствам: , ;
транзистор возбуждается от генератора гармонического тока;
крутизна по переходу S п считается вещественной;
напряжение на коллекторе — гармоническое;
схема включения транзистора — ОБ;
влиянием индуктивности общего вывода транзистора L б пренебрегают.
Исходя из заданных P вых n и nf по справочникам выбирается транзистор с учетом выполнения условий и . Вследствие больших потерь в материале коллектора на верхних частотах транзистора целесообразно выбирать транзистор с запасом по выходной мощности P вых n примерно в 2,0… 2,5 раза. Параметры выбранного транзистора рекомендуется свести в таблицу в следующем порядке:
, Вт;
, МГц;
, В;
U кэ доп , В;
U бэ доп , В;
, В;
I кр , А;
T п , °С;
S гр , А/В;
f гр , МГц;
С к , пФ;
r б , Ом;
r э , Ом;
r к , Ом;
L б , нГн;
L э , нГн;
L к , нГн.
Напряжение питания U к0 принимается равным или близким к , в типовом режиме транзистора. Угол отсечки целесообразно выбрать для n =2 и n =3 θ=60°. По табл. 3.1 [1] определяют для выбранного θ коэффициенты α0 , α1 , α2 , γ1 , γn .
Расчет ведут в следующем порядке (режим работы принимают граничным).
1. Сопротивление потерь коллектора в параллельном эквиваленте:
.
2. Напряженность граничного режима
,
где .
3. Амплитуда напряжения и тока n -й гармоники, приведенные к эквивалентному генератору:
; .
4. Сопротивление коллекторной нагрузки:
.
5. Амплитуда n -й гармоники, высота импульса тока эквивалентного генератора, постоянная составляющая коллекторного тока соответственно:
; ; .
Провести проверку выполнения условия . Если условие не выполняется, то следует сменить транзистор, так как из-за уменьшения частоты f гр нельзя получить заданную мощность.