Реферат: Проектирование модуля АФАР
11. 
.
12. 
.
13. 
.
14. 
.
15. 
.
16. 
.
17. 
.
18. 
.
19. 
.
20. 
.
21. 
.
22. 
.
23. Амплитуда напряжения на нагрузке и входное сопротивление транзистора для первой гармоники тока:
;
24. Мощность возбуждения и мощность, отдаваемая в нагрузку:
для схемы ОЭ 
;
Если P вых1 будет отличаться от заданной более чем на ±20%, расчет следует провести заново, скорректировав значение P г .
25. Постоянная составляющая коллекторного тока, мощность, потребляемая от источника питания, и электронный КПД соответственно:
; 
; 
.
26. Коэффициент усиления по мощности, мощность, рассеиваемая транзистором и допустимая мощность рассеяния при данной температуре корпуса транзистора:
; 
; 
.
Можно принять значение Т п max =T п , где T п — допустимое значение, взятое из справочных данных.
Следует убедиться, что 
.
27. Сопротивление эквивалентной нагрузки на внешних выводах транзистора
, где 
для схемы ОЭ.
Данный расчет исходил из нулевого смещения на входном электроде транзистора. В ряде случаев этот режим может быть не оптимальным и желательно вести расчет на заданный угол отсечки (например в усилителе ОБ для стабилизации режима уменьшают угол отсечки). Тогда, выбрав угол отсечки θ, по табл. 3.1. [1] находят коэффициент α1 (θ) и определяют
.
Затем в п. 5 находят напряжение смещения U в0 из соотношения