Реферат: Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов

3. Верхняя граничная частота f_a =90МГц

4. Максимальная рассеивающая мощность Р_{к мах} =60мВт

5. Максимальное напряжение коллектора U_{к мах} =18В

6. Максимальный ток коллектора I_{к мах} =12мА

7. Максимальная рабочая температура транзистора Т_{к мах} =74°С

8. Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ β=65

3.2 Параметры, выбранные самостоятельно.

1. Время жизни ННЗ τ_ср =5мкс

2. Материал кристалла Ge

3. Тип структуры p-n-p

4. Ёмкость коллекторного перехода С_к =2пФ

5. Коофициент запаса по частоте F Х₁ =1,3

6. Перепад N_б Х₂ = 500

7. Отношение концентраций N_ОЭ / N_б =3

8. Толщина диффузионного слоя h_дс = мкм

9. Скорость поверхностной рекомбинации S_рек = слус

3.3 Перечень используемых обозначений

A_k - площадь коллектора;

А_э - площадь эмитера;

a - градиент концентрации примесей;

- отношение подвижностей электронов и дырок;

С_з.к зарядная (барьерная) емкость коллекторного перехода;

С_д.э - диффузионная емкость эмитерного перехода;

С_з.э - зарядная (барьерная) емкость эмитерного перехода;

Д_п , Д_р - коэффициенты диффузии электронов и дырок;

Д_нб , Д_об - коэффициенты диффузии не основных и основных носителей в базе;

Д_нэ , Д_оэ - коэффициенты диффузии не основных и основных носителей в эмиттере;

Е — напряженность электрического поля;

De - ширина запрещенной зоны;

¦ - частота;

¦_a - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой;