U_прок - напряжение прокола транзистора;

U_к - напряжение коллекторного перехода;

U_{k max} - максимально допустимое напряжение на коллекторе;

I_э — ток эмитера;

I_б — ток базы;

I_ко — обратный ток коллектора при разомкнутом эмиттере;

I_kmax - максимально допустимый ток коллектора;

I_ген - ток термогенерации в области объемного заряда;

I_рек — ток рекомбинации;

a - коэффициент передачи тока в схеме с общей базой;

a_о - низкочастотное значение a;

a^* — коэффициент усиления тока коллекторного перехода за счет не основных носителей заряда;

b — коэффициент передачи тока в схеме с общим эмитером;

g — коэффициент инжекции эмитера;

б_к — толщина коллекторного перехода;

e - относительная диэлектирическая проницаемость;

c_о – коэффициент переноса не основных носителей заряда через область базы;

m_э , m_б – подвижности электронов и дырок;

m_нб , m_об – подвижности не основных и основных носителей заряда в базе;

m_нэ , m_оэ – подвижности не основных и основных носителей заряда в эмитере;

w - круговая частота;

r - удельное сопротивление полупроводника;

r_i - удельное сопротивление собственного полупроводника;

r_э , r_б , r_к - удельные сопротивления эмитера, базы, коллектора;

t_n ,_p – среднее время жизни электронов и дырок

tt_np – время пролета не основных носителей заряда через базу;

t_n – среднее время жизни носителей заряда, обусловленное поверхностной рекомбинацией;

s - удельная теплопроводность;

4. Выбор технологии изготовления транзистора

Основным элементом конструкции транзистора является кристалл, или транзисторная структура кристалла, которая представляет собой полупроводниковую пластину со сформированными на ней эмиттерным (ЭП) и коллекторным (КП) переходами. Другими элементами конструкции являются корпус, кристаллодержатель, выводы.