Так как граничная частота f_α составляет 250 МГц, то для изготовления выберем сплавно-диффузионную технологию.

4.1 Сплавно-диффузионные транзисторы.

При диффузионной технологии неоднородность эмиттерной поверхности приводит к неоднородности толщины базовой области, что ухудшает возможные частотные свойства транзистора . В сплавно-диффузионной технологии диффузией формируется лишь базовая область а КП и ЭП формируются вплавлением эмиттерной навески, под которой образуется рекристализационная зона. При этом в эмиттерную навеску вводится примесь, формирующая под эмиттером активный диффузионный слой базы. Коэффициент диффузии этой примеси должен значительно превышать коэффициент диффузии примеси, формирующей эмиттер и ЭП в рекристализационной зоне. Структура сплавно-диффузионного p-n-p транзистора изображена на рис.1.

На рис.2 приведены некоторые этапы получения сплавно-диффузионного транзистора. После получения исходной р- пластины Ge, протравливают в ней лунку, углубляясь в исходную р- пластину (рис.2.1). травление лунок осуществляется методом фотолитографии. На окислённую пластину наносят фоторезистивную плёнку, её освещают через маску ультрофиолетовым светом. Экспонированные места фоторезиста поляризуются. Незаполимеризованные части фоторезиста смывают так, что он остаётся только на облучённых местах. Затем производят травление. После получения лунки проводят щдиффузию донарной примеси (рис.2.2) затем необходимо отшлифовать поверхность исходной пластины, т.о., чтобы диффузионный слой остался лишь в лунке. Диффузия донорной примеси приводит к образованию базового n- слоя (рис.2.3). С помощью электрохимического метода через маску вводят навески вплавляемого материала 1 и 4 (рис.2.4). Навеска 1 является эмиттерной, содержащая спал Ni + Al + In, а навеска 2- базовой.

Затем пластину помещают в печь и нагревают до температуры, близкой к температуре плавления германия (около 900˚С). При такой темпиратуре сплавы не только переходят в жидкое состояние, но имеет место диффузия примесей из жидкой фазы в прилежащую твёрдую фазу. При этом комплексный характер сплава, находится в лунках, обеспечивает одновременное образование двух слоёв: базового и эмиттерного, благодаря резко коэффициентам диффузии донарной и акцепторной примесей в германии: донарная примесь «обгоняет» акцепторную. Под эмиттерной навеской образуется р- область, которая является эмиттером (рис.2.5). Затем получеснную структуру припаивают к кристаллодержателю. Он является выводом коллектора (рис.2.6).

4.2 Структура сплавно-диффузионного p-n-p

транзистора

Рис. 2. Структура сплавно-диффузионного p-n-p транзистора.

1,3 – выводы базы;

2 – рекристаллизационная область – эмиттер;

n – размеры кристалла;

c, d – размеры лунки;

h_кр – толщина кристалла;

R_э , R_б – радиусы выводов эмиттера и базы;

5. ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ

Расчёт сплавно-диффузионного транзистора.

Задачи расчёта

В результате расчёта должны быть определены электрофизические и геометрические параметры транзисторной структуры, параметры эквивалентной Т-образной схемы транзистора по переменному току, его эксплуатационные параметры. Часть электрофизических и геометрических параметров при расчёте задаётся исходя из соображений номенклатурного порядка. В конце расчёта выбирается тип корпуса транзистора.

В итоге должны иметься все геометрические и электрофизические параметры, необходимые для исполнения конструкторской и основной части технологической документации. Особенно это касается состава диффузантов, навесок и припоев.

5.1 Расчёт толщины базы и концентраций примесей.

Действующая толщина базы определяется соотношением (1).

, (1)

где t_пр -время пролёта базы

t_пр=, (2)

где - коэффициент запаса по частоте f, =1,3

сек.

Задавшись величиной перепада концентраций примеси на границах базы х=200, выразим среднее значение концентрации примеси на границах базы по формуле (3).

, (3)

Так как , (4) необходимо определить концентрацию примеси, формирующей коллекторную область

Для нахождения концентрации базы N_Б используем связь напряжения пробоя U_проб с удельным сопротивлением коллектора ρ_к :

, (5)

где - низкочастотное значение коэффициента передачи тока в схеме ОБ , (6)

Удельное сопротивление коллектора рассчитывается по формуле (7)

, (7)

Для выбранного нами типа структуры транзистора (Ge, p-n-p)

B=5.2, n=0.61, l=1/6 /1/

x=0.8 (для дрейфовых транзисторов). Подставим численные значения в выражение (7), а затем в (5).

₌ 0,9903 Ом*см

=12,748 В

По графику изображенному на рис3.3.1 найдём величину концентрации N_o

Определим среднее значение концентрации примеси N_Б , формирующий проводимость базы с помощью соотношений (3) и (4)

По графику, на рис 3.4.1, найдём среднее значение подвижности не основных носителей заряда в базе

Определим среднее значение коэффициента диффузии в базе, воспользовавшись соотношением (8)

, (8)

где - тепловой потенциал, мВ

(9)

Подставив вышеопределённые значения в формулу (1), найдём действующую толщину базы.

Величина концентрации примеси, формирующей проводимость базы, на поверхности кристалла N_Б (0) определится из соотношения (10)

, (10)

где х_1Б =0,2 мкм

α_Б - коэффициент передачи тока с общей базой , (11)