Саратовский Государственный Технический

Университет

Кафедра «Электронные приборы и устройства»

Курсовая работа

На тему:

«Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов»

Выполнил: ст. Козачук В. М.

Проверил: доц. Торопчин В. И.

САРАТОВ 1999г.

Оглавление.

Оглавление..................................................................................................... 1

1. Введение............................................................................................... 2

2. Цель задания........................................................................................ 2

3. ОБЩАЯ ЧАСТЬ.......................................................................................... 2

3.1 Техническое задание......................................................................... 2

3.2 Параметры, выбранные самостоятельно........................................... 2

3.3 Перечень используемых обозначений............................................... 3

4. Выбор технологии изготовления транзистора...................... 5

4.1 Сплавно-диффузионные транзисторы............................................... 5

4.2 Структура сплавно-диффузионного p-n-p.......................................... 7

5. ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ................................................................................... 8

5.1 Расчёт толщины базы и концентраций примесей.............................. 8

5.2 Расчет коэффициента передачи тока............................................... 11

5.3 Расчет емкостей и размеров переходов.......................................... 11

5.4 Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот............................... 12

5.5 Расчет обратных токов коллектора.................................................. 14

5.6 Расчет параметров предельного режима и определение толщины элементов кристаллической структуры......................................................................... 15

5.7 Расчёт эксплутационных параметров.............................................. 15

6. Выбор корпуса транзистора............................................................. 16

7. Обсуждение результатов................................................................... 18

8. Выводы:..................................................................................................... 18

9. Список используемой литературы............................................ 20

1. Введение

Используемые физические свойства полупроводника известны и используются с конца 19 века. При изобретении радио А.С. Поповым был применен порошковый когерер, в котором использовались нелинейные свойства зернистых структур. В 1923-1924 гг. Лосев О.В. обнаружил наличие отрицательного дифференциального сопротивления и явление люминесценции в точечных контактных сопротивлениях карбида кремния. В 1940 году был изготовлен первый точечный диод. В 1948 году американский физик Дж. Бардии, а также И.Браштейн разработали и изготовили точечно-контактный транзистор, в 1952 г. впервые были созданы промышленные образцы плоскостных транзисторов. В 1956 г. началось производство транзисторов с базой, полученной методом диффузии. В начале 60-х годов была применена планарная технология изготовления транзисторов. В настоящее время рабочие частоты транзисторов достигают 50 ГГц. По уровню рассеиваемой мощности транзисторы делятся на маломощные, средней и большой мощности.

2. Цель задания

Задачей выполнения курсового проекта является разработка маломощного биполярного транзистора в диапазоне, средних и высоких частот.

Целью работы над проектом является приобретение навыков решения инженерных задач создания дискретных полупроводниковых приборов, углубление знаний процессов и конструктивно технологических особенностей биполярных маломощных транзисторов.

3. ОБЩАЯ ЧАСТЬ

3.1 Техническое задание.

Техническое задание содержит требования к параметрам и условиям эксплуатации практикуемого прибора. В данном случае наиболее существенны следующие параметры:

1. Номинальный ток коллектора I_{к ном} =9мА.

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--