Реферат: Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов

¦_max - максимальная частота генерации;

h_kp - толщина кристалла;

h_э , h_k — глубина вплавления в кристалл эмитера и коллектора;

L_n , L_p - средние диффузионные длины электронов и дырок;

L_нб , L_нэ средние диффузионные длины не основных носителей в базе и эмитере;

N_б , N_k , N_э — концентрации примесей в базе, коллекторе и эмитере сплавного транзистора;

N_б (х ) - концентрация примеси, формирующей проводимость базы дрейфового транзистора;

N_э (x ) - концентрация примеси, формирующей проводимость эмиттера дрейфового транзистора;

n_i - равновесная концентрация электронов в собственном полупроводнике;

n_n, n_p - равновесные концентрации электронов в полупроводниках n - типа и p - типа;

Р - мощность, рассеиваемая в коллекторе;

P_{k max} - предельно допустимая мощность, рассеиваемая в коллекторе;

Р_э - периметр эмитера;

Р_n , Р_p - равновесные концентрации дырок в полупроводниках n -типа и p - типа;

R_б , R_э , R_к - радиусы электродов базы, коллектора, эмитера;

R_m , - тепловое сопротивление;

r_б - эквивалентное сопротивление базы;

r_б ^’ , r_б ^’’ - омическое и диффузное сопротивление базы;

r_э - сопротивление эмитера без учета эффекта Эрле;

r_э ^’ - сопротивление эмитера с учетом эффекта Эрле;

S — скорость поверхностной рекомбинации;

Т — абсолютная температура;

Т_к — температура корпуса транзистора;

Т_max - максимально допустимая температура коллекторного перехода;

W - геометрическая толщина базы;

W_g — действующая толщина базы;

U_эб - напряжение эмитер-база;

U_кб - напряжение коллектор-база;

U_kpn - контактная разность потенциалов;