Реферат: Расчет тонкопленочного конденсатора

ПОЛИСТИРОЛ получают из мономера стирола который представляет собой легкую бесцветную синтетическую жид­кость с характерным запахом. Стирол легко полимеризуется даже при хранении на холоде. В темноте и при отсутствии катализаторов он постепенно превращается в твердую, прозрачную и бесцветную, как стекло, массу. Полистирол имеет строение

Для полистирола среднее значение п может доходить до 6000. С целью предотвращения нежелательной самопроизвольной полимери­зации стирола во время хранения к нему добавляют специальные ве­щества, замедляющие реакцию полимеризации. Такие вещества полу­чили название ингибиторов. Неравномерная полимеризация вызывает появление внутренних механических напряжений в материале. По­этому в ряде случаев у изделий из полистирола намечается тенденция к постепенному образованию тончайших трещин. Чтобы предотвратить это явление и уменьшить хрупкость полистирола, к нему иногда до­бавляют некоторые виды синтетических каучуков.

ПОЛИТЕТРАФТОРЭТИЛЕН (ПТФЭ), выпускаемый в СССР, называют фторопластом-4 (фторлоном-4). Его получают путем полиме­ризации тетрафторэтилена F₂C =CF₂ (этилен, в молекуле которого все четыре атома водорода замещены атомами фтора). Макромолекула ПТФЭ имеет регулярное симметричное строение

Среди всех органических полимеров ПТФЭ выделяется высокой нагревостойкостью (около 300°С) и очень высокой стойкостью к действию химических реагентов. Так, на него совершенно не действуют серная, соляная, азотная и плавиковая кислоты, щелочи и т. п. Некоторое действие на него оказывают лишь расплавленные щелочные металлы и атомарный фтор при повышенных температурах. По стойкости к химически активным веществам ПТФЭ превосходит золото и платину. не горюч, не растворяется ни в одном из известных растворителей, Практически негигроскопичен и не смачивается водой и другими жид­костями.

Высокие нагревостойкость и химическую стойкость политетрафторэтилена по сравнению с углеводородами можно объяснить тем, |то атомы фтора более крупные, чем атомы водорода. Поэтому они создают сильное поле, экранирующее углеродный скелет молекулы от внешнего воздействия (рис. 7.4). Сама оболочка из атомов фтора так­ие проявляет инертность по отношению к внешним воздействиям из-за большой энергии связи С—F.

ПОЛИЭТИЛЕНТЕРЕФТАЛАТ (лавсан) — это термоплас­тичный полимер, полученный из этиленгликоля и терефталевой кис­лоты С₆Н₄(СООН)₂, имеющей строение

при молекулярной массе порядка 30000. Он обладает значительной механической прочностью и достаточно высокой температурой размяг­чения. Это — дипольный диэлектрик.

Лавсан применяют для изготовления волокон, пленок и для дру­гих целей. При повышенных температурах он быстро окисляется на воздухе, так что обработку размягченного нагревом материала произ­водят в атмосфере нейтрального газа (азота).

ВВЕДЕНИЕ

В пленочных интегральных микросхемах элементы создаются осаждением пленок на специальные платы из диэлектрических материалов—подложки . Подложка служит механическим основанием, и, будучи диэлектриком, изолирует её элементы. На основе напыленных пленок в настоящее время изготавливаются только пассивные элементы ( резисторы и конденсаторы). Пленочные схемы, дополненные активными элементами (диодами, транзисторами, полупроводниковыми ИС) при­нято называть гибридными ИС (ГИС). Активные элементы в этих схемах крепятся на подложке методом навесного монтажа.

Такая технология изготовления ИС, при которой пассивные и активные элементы создаются по двум не зависимым друг от друга циклам, приводит к ряду преимуществ, которые обусло­вили широкое производство и использование ГИС. Гибридные ИС характеризуются простотой изготовления, малой трудоемкостью, непродолжительностью производственного цикла и в силу этого низкой стоимостью.

Многоуровневое расположение пассивных элементов и исполь­зование в качестве активных элементов полупроводниковых ИС расширяют возможности схемотехнической разработки при со­здании БИС.

Технология изготовления тонких и толстых пленок позволяет создавать прецизионные резисторы и конденсаторы, в силу чего гибридная технология предпочтительнее в схемах с повышенной точностью пассивных элементов.

Интегральные микросхемы, работающие в СВЧ диапазоне, также создаются по гибридной технологии. При этом исключа­ются трудности, связанные с изоляцией элементов толстыми ди­электрическими слоями, неизбежной, если СВЧ ИС выполняется как полупроводниковая.

МАТЕРИАЛЫ ПОДЛОЖЕК

Размеры подложек выбираются в соответствии со степенью интеграции ИС, их материалы — в соответствии с требованиями, предъявляемыми к электрическим, механическим и термическим свойствам подложек. В свою очередь эти требования обусловле­ны заданными параметрами пленочных элементов и выбором технологических методов нанесения пленок.

Рассмотрим требования к подложкам. Материал подложек должен иметь высокие объемное и поверхностное удельные со­противления. Это требование вытекает из необходимости обеспе­чения электрической развязки между элементами. Кроме того, для большинства материалов с высоким удельным сопротивлени­ем существует определенная взаимосвязь между сопротивлением и их стойкостью к влиянию различных веществ, в том числе из окружающей среды. Низкие диэлектрические потери снижают потери энергии вследствие поглощения в диэлектрике. Высокая теплопроводность обеспечивает отвод тепла от микросхемы и вы­равнивание температурного градиента по ее поверхности. Согла­сование коэффициентов линейного расширения подложки и оса­ждаемых пленок уменьшает механические напряжения в пленках и тем самым снижает вероятность появления в них микротре­щин, разрывов и т.п. Высокая механическая прочность облегчает механическую обработку подложек (для получения требуемой формы и размеров и создания в них отверстий), а также преду­преждает поломку подложек при сборке микросхем. Подложки должны быть достаточно термостойкими при пайке и сварке; ма­териал подложки и структура поверхности должны обеспечивать хорошую адгезию осаждаемых пленок к подложке.

Перечисленные требования к подложкам являются общими для тонкопленочных и толстопленочных микросхем. Однако в си­лу значительного различия в свойствах толстых и тонких пленок и методов их нанесения параметры подложек для толсто- и тонкопленочных ИС не совпадают. Это в наибольшей степени относит­ся к адгезии: для тонких и толстых пленок необходимая шеро­ховатость поверхности существенно различается.

В табл. 1.1 приведены характеристики диэлектрических мате­риалов, которые в большей или меньшей степени удовлетворяют требованиям, предъявляемым к подложкам для тонко- и толстопленочных ИС. Ниже приводится состав рассмотренных мате­риалов.

Таблица 1.1. Характеристики подложек

Материал диэлект­рика	Удельное со­противление, Ом *см	Диэл. Пост.	Диэлектрические потери на частоте 106 Гц	Теплопровод­ность, кал/см*с oС	Коэф линей. расш. 10-6 / oC
« 1 2 3 4 5 6 7 8 » К-во Просмотров: 556 Бесплатно скачать Реферат: Расчет тонкопленочного конденсатора >>> Скачать <<< Меню Поиск