Реферат: Расчет тонкопленочного конденсатора
Из-за сложности создания бездефектных пленок на большей площади максимальная площадь конденсатора ограничивается. Минимальная площадь ограничивается заданной точностью. Отсюда для обеспечения широкого диапазона емкостей возникают определенные требования к удельным емкостям. Поскольку существует предел и для минимальной толщины пленок (из-за влияния пор и дефектов в пленке диэлектрика на ее электрическую прочность), то при изготовлении тонкопленочных конденсаторов к диэлектрической постоянной материала предъявляются определенные требования. Если ограничить толщину пленки величиной 0,1 мкм, а максимальную и минимальную площади соответственно 2-Ю2 и 0,2 мм2, то для обеспечения диапазона емкостей 10—106 Ф требуются диэлектрические постоянные, примерно равные 0,5—50.
Электрическая прочность диэлектрического материала определяет напряжение пробоя Uд=Едd, а следовательно, и диапазон рабочих напряжений конденсатора. Кроме требований к удельной емкости и электрической прочности диэлектрические материалы должны обладать минимальной гигроскопичностью, высокой механической прочностью при циклических изменениях температуры, хорошей адгезией к подложкам.
Диэлектрические материалы, используемые для тонкопленочных конденсаторов, представляют собой окислы полупроводников и металлов. Из окислов полупроводников наибольшее распространение в технологии тонкопленочных ИС получили моноокись кремния SiO и моноокись германия GeO, имеющие высокие диэлектрические постоянные. Пленки двуокиси кремния SiO2 значительно реже используются в тонкопленочяой технологии, что частично связано с более низкими значениями диэлектрической постоянной, а также с невозможностью использовать для их осаждения метод вакуумного термического испарения.
Среди окислов металлов наибольший интерес представляют окислы тугоплавких металлов, такие как Ta2O5, TiO2, HfO2 , Nb2O5. Эти материалы по сравнению с другими окислами обладают наиболее высокими значениями диэлектрической постоянной. Наиболее отработана технология изготовления пленок пятиокиси тантала. Интерес к пленкам тантала и его окисла объясняется возможностью изготовления резисторов и конденсаторов с использованием только этого материала и одних и тех же технологических методов создания, а именно ионно-плазменного распыления и электролитического анодированпя.
Свойства материалов, наиболее широко используемых для создания тонкопленочных конденсаторов, представлены в табл.1.2
Таблица 1.2. Параметры материалов, применяемых для изготовления тонкопленочных конденсаторов
Материал диэлектрической пленки |
Диэлект. Постоян. |
Тангенс угла диэл. потерь на частоте 103 Гц |
Удельная емкость, пФ/см2 |
Диэл. прочн. Е*10-6 В/см |
ТКЕ*104 1/0С |
Материал обкладок; удельное сопро. слоя, ом/а |
Моноокись кремния |
5—6 |
0.01-0.02 |
0.5*104 |
2—3 |
2 |
Алюмин. 0.2 |
Моноокись германия |
11—12 |
К-во Просмотров: 552
Бесплатно скачать Реферат: Расчет тонкопленочного конденсатора
|