Реферат: Расчет тонкопленочного конденсатора

Из-за сложности создания бездефектных пленок на большей площади мак­симальная площадь конденсатора ограничивается. Минимальная площадь ог­раничивается заданной точностью. Отсюда для обеспечения широкого диапазо­на емкостей возникают определенные требования к удельным емкостям. По­скольку существует предел и для минимальной толщины пленок (из-за влия­ния пор и дефектов в пленке диэлектрика на ее электрическую прочность), то при изготовлении тонкопленочных конденсаторов к диэлектрической постоянной материала предъявляются определенные требования. Если ограничить толщину пленки величиной 0,1 мкм, а максимальную и минимальную площади соот­ветственно 2-Ю2 и 0,2 мм2, то для обеспечения диапазона емкостей 10—106 Ф требуются диэлектрические постоянные, примерно равные 0,5—50.

Электрическая прочность диэлектрического материала определяет напряже­ние пробоя Uддd, а следовательно, и диапазон рабочих напряжений кон­денсатора. Кроме требований к удельной емкости и электрической прочности диэлектрические материалы должны обладать минимальной гигроскопичностью, высокой механической прочностью при циклических изменениях температуры, хорошей адгезией к подложкам.

Диэлектрические материалы, используемые для тонкопленочных конденса­торов, представляют собой окислы полупроводников и металлов. Из окислов полупроводников наибольшее распространение в технологии тонкопленочных ИС получили моноокись кремния SiO и моноокись германия GeO, имеющие высо­кие диэлектрические постоянные. Пленки двуокиси кремния SiO2 значительно реже используются в тонкопленочяой технологии, что частично связано с более низкими значениями диэлектрической постоянной, а также с невозможностью использовать для их осаждения метод вакуумного термического испарения.

Среди окислов металлов наибольший интерес представляют окислы туго­плавких металлов, такие как Ta2O5, TiO2, HfO2 , Nb2O5. Эти материалы по срав­нению с другими окислами обладают наиболее высокими значениями диэлек­трической постоянной. Наиболее отработана технология изготовления пленок пятиокиси тантала. Интерес к пленкам тантала и его окисла объясняется воз­можностью изготовления резисторов и конденсаторов с использованием толь­ко этого материала и одних и тех же технологических методов создания, а именно ионно-плазменного распыления и электролитического анодированпя.

Свойства материалов, наиболее широко используемых для создания тонко­пленочных конденсаторов, представлены в табл.1.2

Таблица 1.2. Параметры материалов, применяемых для изготовления тонкопленочных конденсаторов

Материал диэлект­рической пленки

Диэлект.

Постоян.

Тангенс угла диэл. потерь на частоте

103 Гц

Удельная емкость, пФ/см2

Диэл.

прочн.

Е*10-6 В/см

ТКЕ*104

1/0С

Материал об­кладок; уде­льное сопро. слоя,

ом/а

Моноокись крем­ния

5—6

0.01-0.02

0.5*104

2—3

2

Алюмин.

0.2

Моноокись гер­мания

11—12

К-во Просмотров: 552
Бесплатно скачать Реферат: Расчет тонкопленочного конденсатора