Реферат: Разработка блока динамического ОЗУ с мультиплексором кода адреса
Емкость,бит -16К x 1
Время цикла записи считывания- 370нс
Напряжение питания- 5В,12В,-12В
Потребляемая мощность: в режиме хранения- 40 мВт
в режиме обращения- 460мВт
Тип корпуса- ДИП;16;7.5
Статические параметры микросхемы К565РУ3Г
I потребления динамический- 45мА I потребления статический- 4Ма
U вх низкого уровня мах 0.8B min –1B U вх высокого уровня вах 6В min 2.4B
U вых низкого уровня мах 0.4B
U вых высокого уровня min 2.4B
I вых низкого уровня мах 4мА
I вых высокого уровня мах 2мА
Выходной ток утечки мах 10мкА
Входной ток утечки мах 10мкА
Входная емкость по входам WR/RD, RAS, CAS мах 10пФ
по входам A, DI мах 6 пФ
Выходная емкость мах 10 пФ
Максимальная емкость нагрузки 100 пФ
2.3.Расчет нагрузочной способности микросхемы К565РУ3Г
Характерным для ДБИС ЗУ, изготовляемых по МДП-технологии, является высокое входное омическое сопротивление. При определении числа Q ДБИС ЗУ, нагружаемых на ТТЛ-схему, учитывается в основном емкость входов микросхемы памяти.
СМАХ- максимальная емкость нагрузки ТТЛ-схемы
СI- емкость входа ДБИС ЗУ
Т.к. для К555КП2 емкость СMAX≤150Пф, а для К565РУ3Г емкость СI≈ 6-10Пф, то Q≤15-25.
Выход К565РУ3Г имеет собственную емкость СВЫХ=10пФ и работает на емкостную нагрузку до 100пФ. Поэтому по входу можно объединить до 10 микросхем памяти.
3.1.Мультиплексоры блока динамического ОЗУ.
Мультиплексоры выполнены на схемах К555КП2.
Таблица истинности
| Входы | Выход | ||||||
|
E |
К-во Просмотров: 636
Бесплатно скачать Реферат: Разработка блока динамического ОЗУ с мультиплексором кода адреса
| ||||||