Курсовая работа: Расчет параметров структуры интегрального n-p-n транзистора и определение технологических режимов его изготовления

В результате получаем следующее распределение примеси в разделительных дорожках:

.

6. Определение режимов базовой диффузии

Формирование базовой области проведем методом имплантации ионов бора В с последующей термической диффузией имплантированных ионов.

Выбираем дозу имплантированных ионов бора Ф = 10 мкКл/см² и энергию имплантированных ионов Е_И = 20 кэВ. Профиль распределения примеси после термической диффузии имплантированных ионов описывается следующим выражением:

, (6.1)

глубина залегания p-n-перехода коллектор-база:

, (6.2)

где [см^-3 ]; N_П = N_ЭС [см^-3 ]. Согласно соотношению (5.3) положим, что N_0Б = 5_* 10¹⁹ см^-3 .

Температуру базовой диффузии выбираем равной 1150 ⁰ С. При этом D(1150 ⁰ C) = 7_* 10^-13 см² /c.

Определяем время базовой диффузии из выражения (6.2):

Определяем параметры ионной имплантации:

см^-2 ,

С помощью формулы (1.2) найдем дозу облучения

мкКл/см² .

Профиль распределения примеси в базовом слое описывается следующим выражением:

.

7. Определение режимов эмиттерной диффузии

Эмиттерные области формируются путем диффузии фосфора P. Глубина перехода эмиттер–база определяется на основании следующих значений:

1) выбранного нами значения глубины залегания x_jКБ = 3 мкм,

2) заданного в задании значения ширины активной базы W_a = 0,7 мкм.

Глубина залегания p-n-перехода эмиттер–база определяется выражением:

, (7.1)

где x_jЭБ = x_jКБ - W_a = 2,3 мкм.

Определяем параметры второй стадии эмиттерной диффузии. Согласно соотношению (5.3) положим, что N_0Э = 5_* 10¹⁹ см^-3 . Зададим температуру второй стадии диффузии Т₂ = 1100 ⁰ С. Определяем D₂ (T₂ ) = 1,7_* 10^-13 см² /с.

С помощью выражения (7.1) определяем длительность второй стадии t₂ :

Определяем параметры первой стадии диффузии.