Курсовая работа: Расчет параметров структуры интегрального n-p-n транзистора и определение технологических режимов его изготовления

9. Последовательность процессов при производстве ИМС

1) Составление партии пластин. Количество пластин в партии 15 – 20 штук. Используются пластины марки ЭКДБ–10 диаметром 100 мм.

Исходный вид структуры

Рис. 9.1.

2) Химическая обработка пластин.

3) Термическое окисление Si.

Пластина после термического окисления

Рис. 9.2.

4) Фотолитография по окислу кремния.

Вид структуры после фотолитографии

Рис. 9.3.

5) Имплантация ионов сурьмы. Она выполняется по режимам: Ф = 500 мкКл/см² ; Е = 50 кэВ.

Имплантация ионов Sb⁺

Рис. 9.4.

6) Термическая диффузия имплантированных ионов сурьмы Sb⁺ . Проводится при температуре Т = 1220 ⁰ С и времени t = 12 ч.

Структура после термической диффузии

Рис. 9.5.

7) Травление окисла и химическая обработка пластины.

Травления окисла

Рис. 9.6.

8) Наращивание эпитаксиального слоя.

Т_Э = 1150 ⁰ С, t_Э = 30,312 мин. Толщина ЭС h_ЭС 6мкм. Удельное сопротивление _ЭС = 0,4 Ом_* см.

Структура после эпитаксиального наращивания