Курсовая работа: Расчет параметров структуры интегрального n-p-n транзистора и определение технологических режимов его изготовления

Рис. 9.7.

9) Химическая обработка.

10) Термическое окисление.

11) Фотолитография по окислу Si под разделительные дорожки.

Фотолитография под РД

Рис. 9.8.

12) Химическая обработка.

13) Термическая диффузия бора В для создания разделительных дорожек.

1 стадия: Т₁ = 1150 ⁰ С и t₁ = 9,08 мин; 2 стадия: Т₂ = 1220 ⁰ С и t₂ = 1,43 ч.

Термическая диффузия бора в РД

Рис. 9.9.

14) Фотолитография по окислу кремния для создания базовых областей.

Фотолитография под базовые области

Рис. 9.10.

15) Химическая обработка.

16) Имплантация ионов бора В проводится по следующим режимам:

Е = 50 кэВ, Ф = 242 мкКл/см² .

17) Термическая диффузия имплантированных ионов бора В. Проводится при температуре Т = 1150 ⁰ С и t = 77,55 мин.

Диффузия бора в область базы

Рис. 9.11.

18) Фотолитография по окислу под эмиттер.

Фотолитография под эмиттер

Рис. 9.12.

19) Химическая обработка.