Курсовая работа: Расчет параметров структуры интегрального n-p-n транзистора и определение технологических режимов его изготовления

1 стадия: Т₁ = 1100 ⁰ С и t₁ = 5125,96 с; 2 стадия: Т₂ = 1100 ⁰ С и t₂ = 11261,85 с.

Диффузия фосфора

Рис. 9.13.

21) Фотолитография под контактные окна.

Фотолитография под контактные окна

Рис. 9.14.

22) Контроль электрических параметров элементов. Измерения проводятся при помощи зарядовой установки и ПИХЛ22.

23) Химическая обработка.

24) Напыление алюминия.

Напыление алюминия

Рис. 9.15.

25) Фотолитография по алюминию.

Структура эпитаксиального n-p-n-транзистора

Рис. 9.16.

26) Вплавление алюминия.

Т_ВПЛ < Т_{ЭВТ Al-Si} = 570 ⁰ С.

Т_ВПЛ = 565 ⁰ С, t = 3 мин

Заключение

В данном курсовом проекте при заданном напряжении коллектор-база V_КБ = 15 В, ширине активной базы W_а = 0,7 мкм рассчитаны параметры структуры транзистора и определены технологические режимы ее изготовления.

Скрытый слой глубиной x_jСС =8,49 мкм формируется по стандартным режимам имплантации (Е=50 кэВ, Ф=500 мкКл/см² ) и последующей термической диффузии ионов сурьмы (Т_СС =1220 ⁰ С, t_CC =12 ч). Эпитаксиальный слой толщиной h_ЭС 6 мкм и удельным сопротивлением _ЭС =0,4 Ом_* см наращивается на кремниевую пластину ЭКДБ-10. Параметры эпитаксии: температура Т_Э =1150 ⁰ С, скорость наращивания v_ЭН = 0,2 мкм/мин, длительность эпитаксиального наращивания t_Э =38 мин.

Разделительные дорожки формируются путем диффузии бора с поверхности ЭС вглубь до смыкания с подложкой (глубина залегания x_jРD = 7,062 мкм). Разделительная диффузия проводится в два этапа: Т₁ =1150 ⁰ С и t₁ =9,08 мин, Т₂ =1220 ⁰ С и t₂ =1,43 ч. Формирование базовой области проводим методом имплантации ионов бора (Е=50 кэВ, Ф=809 мкКл/см² ) с последующей термической диффузией имплантированных ионов (Т=1150 ⁰ С и t=77,55 мин). Эмиттерные области формируются путем последовательной диффузии фосфора Р (Т₁ =1100 ⁰ С и t₁ =5125,96 с, Т₂ =1100 ⁰ С и t₂ =11261,85 с). Величина размывания скрытого слоя в эпитаксиальный слой в процессе термообработки КЭСС равна cc = 0,36 мкм.

Областью применения результатов данного проектирования может являться расчет кремниевых эпитаксиально-планарных транзисторов.

Список использованных источников

1. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Учеб. пособие для вузов по спец. «Полупроводники и диэлектрики» и «Полупроводниковые приборы». – 3-е изд., перераб. и доп. – М.: Высш. шк., 1986. – 386 с., ил.

Приложение 1