Курсовая работа: Разработка интегральных микросхем
5…9 мм
15…30 мм
20…40 мм
50 мкм
60 мкм
Rx ≤ 0.05 мкм
Ra ≤ 0.5 мкм
Шлифовано-травленная
Полное отсутствие
Меньше 1012 …1014 атом/см2 ; ион/см2
Менее одного монослоя
Отметим также, что проведение различных операций, таких как резка, шлифование свободным абразивом, механическое полирование и др. сопровождается нарушением слоя кремния у поверхности подложки и вглубь ее, что приведет к неправильным результатам дальнейших процессов. Поэтому существуют некоторые стандарты нарушения поверхности пластин кремния, которые недопустимо превышать. Ниже представлена таблица, которая содержит оптимальные нарушения поверхности подложки кремния[9].
Таблица 2.5 - Глубина нарушенного слоя пластин кремния после механических обработок
|
Технологические операции |
Условия обработки |
Глубина нарушенного слоя, мкм |
|
Резка алмазным кругом с внутренней режущей кромкой Шлифование Шлифование и полирование Химико – механическое полирование |
Зернистость режущей кромки АСМ 60/53; n=4000 об/мин-1 ; подача 1 мм/мин Свободный абразив – суспензии порошка: ЭБМ-10 ЭБМ-5 Связанный абразив – круг АСМ 28 Алмазная паста: АСМ-3 АСМ-1 АСМ-0,5 К-во Просмотров: 579
Бесплатно скачать Курсовая работа: Разработка интегральных микросхем
|