Курсовая работа: Разработка интегральных микросхем
Суспензия ZrO2 0,1…0,2мкм
Суспензия α-Аl2 O3 0.05…1мкм
Суспензия цеолита
20…30
11…15
7…9
14…16
6…9
5…6
1…2
1…1,5
-
-
1…2
После выбора материала подложки приступают к выбору материала примесей. Здесь важнейшим критерием является необходимый тип проводимости полупроводникового материала, после легирования. Ниже представлена таблица 2.6, в которой описаны все материалы, используемые в качестве примесей. Важными параметрами примесей является предельная растворимость полупроводника и температура, при которой производят процесс легирования (см. таблицу 2.10).
Таблица 2.6 - Электрическое поведение наиболее распространенных примесей в важнейших полупроводниках[9, стр. 318]
|
Полупроводник |
Нейтральные примеси |
Доноры |
Акцепторы |
Примеси, создающие глубокие уровни |
|
Кремний Германий Арсенид галлия Фосфид галлия |
H, N, C, Ge, Sn, Pb, Ar H, N, C, Ge, Sn, Pb, Ar H, N, B, Al, In, P, Sb H, N, B, Al, In, As, Sb |
К-во Просмотров: 576
Бесплатно скачать Курсовая работа: Разработка интегральных микросхем
|