Курсовая работа: Разработка интегральных микросхем
P, As, Sb, Li
Si, Sn, Te, S, Se
Si, Sn, Te, S, Se
B, Al, Ga, In
B, Al, Ga, In
Zn, Cd, Be, Li
Be, Mg, Zn, Cd, C
Cu, Au, Zn, Mn, Fe, S, Ni
Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Mn, Ni, Fe, S, Se, Te
Cr, Fe, V, Ni, Mg, Au, Ge, Mn, Ag
Cu, O, Ge, Co, Fe, Cr,Mn
Для разработки интегральной микросхемы дифференциального каскада воспользуемся следующими элементами и их соединениями: в качестве полупроводниковой пластины будем использовать кремний; в качестве акцепторной примеси будем использовать бор и алюминий; фосфор – как донорную примесь. В качестве межэлементных соединений будем использовать алюминий. В качестве изолирующего диэлектрика будет применяться двуокись кремния SiO2.
Необходимо отметить, что при проектировании интегральной микросхемы производят совокупность определенных процессов, таких как фотолитография, легирование, очистка и др. При проведении этих процессов пользуются вполне определенным набором веществ. При проведении процесса фотолитографии используются фоторезисты, основные виды которых представлены в таблице 2.9. Травление осуществляется химическими веществами, которые описаны в таблице 2.8. При выборе материала для проведения шлифования, особое внимание акцентируют на размер зерен, от которого зависит качество шлифования и возможные повреждения поверхности полупроводникового материала в результате ее проведения. Основные типы порошков приведены в таблице 2.7
Таблица 2.7 - Характеристика абразивных и алмазных порошков
[9, стр.321]
|
Группа |
Номер зернистости |
Размер зерен основной фракции, мкм | |
|
По ГОСТ 3647-71 |
По ГОСТ 9206-70 | ||
|
Абразивные шлифпорошки Абразивные микропорошки Абразивные тонкие микропорошки Алмазные микропорошки |
12 10 8 6 5 К-во Просмотров: 580
Бесплатно скачать Курсовая работа: Разработка интегральных микросхем
| ||