Реферат: Изготовление кристаллов
3. Нанесение первой стороны проводников с проверкой совмещения под микроскопом. Пасты — ПП3, содержащие серебро, палладий, органику.
4. Вжигание при температуре 625 — 740О С.
5. Нанесение второй стороны проводников. Пасты — ПП1.
6. Вжигание при той же температуре ( предварительное вжигание ).
7. Нанесение проводников с торцевой стороны на полуавтомате с целью соединения сторон.
8. Окончательное вжигание проводников при температуре 800 — 865О С.
9. Нанесение резистивного слоя на полуавтомате на маске. Состав пасты — окись Ag, Pd, органика.
10. Вжигание резистивной пасты при температуре 700 — 750О С.
11. Подгонка лазерным лучом (установки “Темп”)
12. Измерение резисторов, контроль внешнего вида.
13. Пайка в электронагревательном устройстве в воздушной среде.
Эта операция предусматривает пайку навесных элементов с помощью паяльной лампы на автоматической линии пайки. Здесь закладывается качество. От того на сколько качественно проведена пайка зависит качество и надежность схем. Паста наносится трафаретной печатью через трафарет. Нанесенные элементы ставят автоматически путем захвата их из бункера и установки на место. Температура плавления — 200-220О С. Здесь не допускается смещение кристаллов, неправильная ориентация кристаллов, прокрасы пасты.
14. Промывка в органическом растворителях в УЗ поле.
Операция предназначена для отмывки плат с навесными элементами от флюса. Промывка ведется в трех ваннах с предварительной замочкой в течении 3 минут с последующей обработкой в УЗ поле в течении 2 — 3 минут в каждой из трех ванн. Затем схемы высушиваются под вытяжкой. При выполнении данной операции необходимо строго выполнять требования безопасности. Не допускается соприкосновение ТХЭ с нагретыми металлическими предметами во избежании образования удушающих газов (фосген, дифосген).
15. Промывка в горячей деионизованной воде.
Операция предусматривает дополнительную промывку от остатков флюса и хлора (от ТХЭ) при температура 85О С (расход Н2 О — 1,2 л/мин) с последующей сушкой при температуре 80 — 120О С.
16. Стабилизация параметров термотренировкой.
Стабилизация проводится, чтобы не уходили параметры резистора. Проводится при температуре 85 +3 ОС в течении 24 часов
17. Пайка проволочных выводов газовым пламенем на автоматической линии армирования.
Газ — водород. Р=0.6. 10-5 Па. Время пайки — 100 мсек. Для выводов используется медь луженая.
18. Загрузка схем в кассеты.
Проводится для удобства проведения операции герметизации.
19. Нанесение слоя компаунда окунанием.
Данная операция предусматривает технологический процесс герметизации микросхем. Процесс происходит вручную. При этом надо следить, чтобы не нарушались габаритные параметры. Герметик — компаунд на основе эпоксидной смолы с добавлением отвердителя, растворителя и красителя.
20. Сушка конвективная.
Проводится с целью полимеризации компаунда в печи СК при температуре 130 — 150О С в течении 2 часов.
21. Маркировка.
С помощью специальных приспособлений на каждую схему наносится товарный знак ( название, дата, ключ ).
22. Лакировка.