Реферат: Изготовление кристаллов

23. Сушка конвективная.

Проводится при температуре 130 — 150О С в течении 2 часов.

24. Термотренировка.

Здесь предусматривается стабилизация параметров при температуре 120О С в течении 24 часов.

25. Испытание на воздействие изменений температуры среды (термоциклирование).

Проводится в двух камерах КТ04 ( камера тепла ) и КТХБ ( камера холода ) при температуре от+125О С до -65О С (10 циклов) с целью определения способности микросхем выдерживать попеременное воздействие придельной повышенной и придельной пониженной значений температур и сохранять после воздействия внешний вид и электрические параметры.

26. Электро — термо тренировка (ЭТТ).

Предусматривает испытания микросхем на электрическую нагрузку при повышенной температуре. Схема загружается в контактирующие специальные стенды и испытывается в рабочем режиме при 85О С в течении времени равном времени наработки ( 1...7 суток ).

27. Разбраковка по электрическим параметрам. Проводится с целью разделения годных схем от брака. Схемы проверяются на испытательном комплексе “Вахта” по всем приемосдаточным параметрам, предусмотренным техническими условиями.

28. Разбраковка по внешнему виду.

29. Сдача в ОТК.

От сданной партии 10% выборки проверяется.

ОПЕРАЦИЯ НАНЕСЕНИЕ СЛОЯ КОМПАУНДА ОКУНАНИЕМ

Настоящая операция предусматривает технологический процесс герметизации микросхем методом нанесения слоя компаунда окунанием.

Подготовка рабочего места.

1.1 Проверить работу вытяжной вентиляции.

1.2 Проверить наличие заземления у всех установок, работающих под напряжением.

1.3 Протереть рабочее место салфеткой из полотна “нетканол”, смоченной в воде.

1.4 Получить у мастера необходимые материалы и элементы.

1.5 Проверить загрузку элементов в кассету, при наличии дефектов возвратить на операцию “загрузка элементов в кассеты”.

1.6 Взять кассету с элементами с транспортера (в случае автоматической загрузки элементов в кассеты) проверить внешний вид загруженных элементов.

Не допускается:

1. отсутствие навесных элементов;

2. отсутствие выводов;

3. нарушение шага загрузки;

4. смещение выводов;

5. пересечение выводов;

6. сколы кристаллов, недопай конденсаторов.

1.7 Передать наладчику кассеты с дефектными элементами.

К-во Просмотров: 713
Бесплатно скачать Реферат: Изготовление кристаллов