Реферат: Изготовление кристаллов
3.17 Передать обработанные пластины в кассете на следующую операцию, заполнив сопроводительный лист.
3.18 Отключить по окончании работы нагреватели ванн, поставив тумблер блока управления НАГРЕВАТЕЛЬ в нижнее положение.
3.19 Слить серную кислоту и смесь Каро из рабочих ванн, открыв кран слива и предварительно охладив их до (80-50) 0 С.
Перед сливом серной кислоты добавить в ванну 200 мл перекиси водорода.
3.20 Промыть рабочие ванны, находящиеся в них решетки и нагреватели, деионизованной водой из шланга.
3.21 Закрыть вентили слива и закрыть рабочие ванны крышками.
3.22 Протереть стол установки, крышки ванн салфеткой из мадаполама.
3.23 Отключить технологический блок. Проводить отмывку оснастки и ванн установки не реже одного раза в неделю. Разрешается одновременно обрабатывать по две кассеты с пластинами.
КОНТРОЛЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛА
Оборудование
система измерительная Н2001 (“Интеграл”);
зонд измерительный ОМ6010;
Алгоритм программы разбраковки
Рис.3.
СБОРОЧНОЕ ПРОИЗВОДСТВО
ВВОДНАЯ ЧАСТЬ
Микросхема К425НК1
Микросхема интегральная К425НК1 предназначена для работы в блоке управления экономайзера автомобиля, изготавливаемого для народного хозяйства.
Рис. 4. Схема расположения выводов
Нумерация выводов показана условно.
Ключ “=>” показывает направление отсчета выводов.
масса не более 3г.
Табл. 5 . Назначение выводов.
| Номер вывода | Назначение вывода |
| 1 | Вывод резистора R9 |
| 2 | Точка соединения резисторов R4 и R5 |
| 3 | Точка соединения резисторов R5 и R6 |
| 4 | Точка соединения резисторов R6 и R7 |
| 5 | Точка соединения резисторов R1 и R2 |
| 6 | Точка соединения резисторов R4 и R9 |
| 7 | Точка соединения резисторов R2 и R3 |
| 8 | Вывод резистора R3 |
| 9 | Вывод резистора R8 |
Табл. 6. Основные электрические параметры (при температуре 25±100 С).
| Наименование параметра, режим измерения, единица измерения | Буквенное обозначение | не менее | не более |
| Сопротивление, КОм | R1 | 27.0 | 33.0 |
| Сопротивление, КОм | R2 | 0.612 | 0.748 |
| Сопротивление, КОм | R3 | 0.459 | 0.561 |
| Сопротивление, КОм | R4 | 0.501 | 0.612 |
| Сопротивление, КОм | R5 | 0.225 | 0.275 |
| Сопротивление, КОм | R6 | 0.844 | 1.032 |
| Сопротивление, КОм | R9 | 0.577 | 0.705 |
| Сопротивление, КОм | R7+R8 | 2.44 | 2.98 |
| Выходное напряжение, В (при входном напряжении форма сигнала синусоида, амплитуда 10В, частота 3390 Гц) | Uвых.5 | 2.7 | 8.0 |
| Выходное напряжение, В (при входном напряжении форма сигнала синусоида, амплитуда 10В, частота 3390 Гц) | Uвых.4 | 0.6 | 1.6 |
МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ К425НК1
Эти схемы изготавливаются по толстопленочной технологии.
1. Промывка чистых плат в деионизованной воде в УЗ поле с порошком.