Реферат: Изготовление кристаллов

Фоторезист — ФП383.

Установка ХБС.

5.2. Совмещение экспонирования пластин ЭМ — 576А.

5.3. Проявление фоторезиста.

Проявитель — едкий калий.

5.4. Дубление фоторезиста.

Установки “Лада”.

5.5. Травление окисной пленки.

Буферный травитель.

5.6. Контроль.

6. Ионное легирование.

Бор 1. “Карман”. Установка “Лада 30”.

7. Снятие фоторезиста.

7.1. Плазма. Установка “08 ПХО 100Т-001”

7.2. Смесь Каро.

8. Химическая обработка.

9. Разгонка бора. “Карман”.

Температура 1200^О С. О₂ +азот.

10. Вторая фотолитография.

Формирование областей сток- исток р-канальных транзисторов и р⁺ -охраны.

11. Ионное легирование.

Бор 2 . Сток- исток. Установка “Везувий-3М”.

12. Снятие фоторезиста.

Плазма и смесь Каро.

13. Химическая обработка.

14. Разгонка бора. Сток- исток.

Температура 1000^О С, О₂ +пар.

15. Третья фотолитография.

Формирование областей сток- истока n-канальных транзисторов и n⁺ -охраны.