Реферат: Изготовление кристаллов
17. Загонка фосфора (диффузионный метод).
Температура 900О С. Диффузант — POCl3 .
18. Снятие фосфорселикатного стекла.
HF : H2 O =1 :10.
19. Разгонка фосфора.
Температура 1000О С. О2 +пар.
20. 4Я фотолитография.
Вскрытие областей под затвор и контактные окна.
21. Окисление 2 — подзатворный диэлектрик.
Температура 1000О С. О2 +HCl.
22. Стабилизация фосфора.
Температура 900О С. Диффузант — POCl3 .
23. Подлегирование.
24. Отжиг подзатворного диэлектрика.
25. 5Я фотолитография.
Вскрытие контактных окон.
26. Химическая обработка.
27. Напыление Al+Si.
Установка “Магна 2М”.
28. 6Я фотолитография.
Формирование алюминиевой разводки.
29. Вжигание алюминия.
Температура 475О С в азоте.
30. Нанесение защитного окисла.
Температура 400О С. SiH4 +O2 .
Установка “Аксин”.
31. 7Я фотолитография.
Вскрытие контактных площадок.
32. 8Я фотолитография.