Реферат: Методы численного моделирования МДП-структур
( h-сторона ячейки,перпендикулярная к границе раздела).
Система (1.51)-(1.53) содержит три интегральных тождества каждое из которых соответствует уравнению Пуассон, либо уравнению непрерывности.
Причём теперь уравнение Пуассона описывает как точки принадлежащие диэлектрической и полупроводниковой средам, так и точки, лежащие на границе раздела этих сред.
1.2. Модели подвижности и рекомбинации. Краевые и начальные условия.
Для полной постановки задачи помимо основных уравнений (1.1)-(1.5)
|
mn = 65+1265 (1+ ( Nt /8.5 1016 )0.72 )-1 r1+|E/8000| 2 ,(1.60)
mp = 47.7+ 447(1+( Nt / 6.3 1016 )0.76 )-1 r1+|E/1.95 10 4 | , (1.61)
где Nt=Na+Nd,
Скорость рекомбинации обычно задают, учитывая рекомбинацию Оже и Шокли-Рида-Холла, а так же ударную ионизацию:
R0 =Rшрх +ROже -Gуд , (1.70)
|
Rоже =(Cn n+Cp p)(np-nie 2 ), (1.74)
Gуд =an nVn +ap pVp , (1.73)
ni =nie exp[(Et -Ei )/kT],(1.74)
nie =exp[qDG /2kT]; (1.75)
nie -эффективная собственная концентрация носителей заряда .
Et –энергетический уровень центров рекомбинации,
DG -экспериментально определяемый параметр,
an ,ap -коэффициенты ионизации для электронов и дырок,
В точках поверхности раздела полупроводник-металл концентрации носителей определяются профилем легирования :
n0 =N/2+ (N/2)2 +nie 2 , (1.80)
p0 =-N/2+ (N/2)2 +nie 2 , (1.81)
Значение электрического потенциала зависит ещё и от прикладываемого к контакту напряжения:
j=U+l n(n0 /nie ) или j=U+l n(p0 /pie ) , (1.90)
Для отражения границ задаются условия:
(-Ñjh)=0,(Jn h)=0,(Jp h)=0 , (1.91)
Таким образом, математической моделью фрагмента МДП-структуры является система дифференциальных уравнений в частных производныx, дополненная соответствующими граничными условиями. Такая система называется основной или фундаментальной (ФСУ).
III.Численное решение основной системы уравнений.