Реферат: Принцип действия полевого транзистора

редина запрещенной зоны. Из

рисунка 2 видно, что в объеме

полупроводника расстояние от

дна зоны проводимости до уров-

ня Ферми меньше расстояния от

уровня Ферми до потолка вален-

тной зоны. Поэтому равновес-

ная концентрация электронов

больше концентрации дырок: как

и должно быть у n-полупровод-

ников. В поверхностном слое

объемного заряда происходит

искревление зон и расстояния

от дна зоны проводимости до

уровня Ферми по мере перемеще-

ния к поверхности непрерывно

увеличивается, а расстояние до

уровня Ферми до потолка вален-

тной зоны непрерывно

уменьшается. В сечении АА эти

расстояния становятся одинако-

выми (..................) и

полупроводник становится соб-

ственным: n=p=n. Правее сече-

ния АА ............. , в сед-

ствии чего p>n и полупровод-

ник становится полупроводни-

ком р-типа. У поверхности об-

разуется в этом случае повер-