Реферат: Принцип действия полевого транзистора

чисто дрейфовый механизм движения носителей тока вдоль канала сменяет-

ся диффузионно-дрейфовым.

Механизм протекания тока в МДП-транзисторе при сомкнутом канале

имеет некоторые общие черты с протеканием тока в обратно-смещенном

n-p-переходе. Напомним, что в n-p-переходе неосновные носители тока

попадают в область пространственного заряда перехода вследствие диффу-

зии и затем подхватываются его полем.

Как показывают теория и эксперимент, после перекрытия канала ток

стока ....... практически насыщается (рис. 5). Значение тока насыще-

ния зависит от напряжения на затворе .....: чем выше ..... , тем шире

канал и тем больше ток насыщения (на рисунке ......................).

Это типично транзисторный эффект - напряжением на затворе (во входной

цепи) можно управлять током стока (током в выходной цепи). Характер-

ной особенностью МДП-транзисторов является то, что его входом служит

конденсатор, образованный металлическим затвором, изолированным от по-

лупроводника. Ток утечки затвора типичных МДП-транзисторов составляют

........А и могут быть уменьшены до ......А. В рассматриваемом тран-

зисторе используется эффект поля, поэтому такие транзисторы называют-

ся ПОЛЕВЫМИ. В отличии от транзисторов типа p-n-p или n-p-n, в кото-

рых происходит инжекция неосновных носителей тока в базовую область, в

полевых транзисторах ток переносится только основными носителями. Поэ-

тому такие транзисторы называются также УНИПОЛЯРНЫМИ.

На границе раздела полупроводник - диэллектрик в запрещенной зо-

не полупроводника существуют энергетические состояния, называемые по-

верхностными или, точнее, состояниями граници раздела (рис. 6). Волно-

вые функции электронов в этих состояниях локализованы вблизи повер-

хности раздела в областях порядка постоянной решетки. Причина возник-

новения рассматриваемых состояний состоит в неидеальности граници раз-

дела полупроводник - диэллектрик (оксид). На реальных границах разде-