Реферат: Принцип действия полевого транзистора

При слабом обогащении или обеднении приповерхностной области по-

лупроводника ее размер определяется так называемой дебаевской длинной

экранирования:

где: .......-диэлектрическая проницаемость полупроводника; ......

-концентрация основных носителей тока в нем.

а протяжении слоя ...... напряженность электрического поля, по-

тенциал и изменение концентрации носителей тока относительно объема

полупроводника уменьшается в ..... раз по сравнению с их значениями на

поверхности.

В случае сильного обеднения толщину обедненного слоя можно рассчи-

тать по формуле для обедненного слоя в барьере Шотки, заменив в ней

... на ... .

Наиболее сложно рассчитать структуру приповерхностного

слоя с инверсионной областью.

В интегральной электронике МДП-структуры широко используются для

создания транзисторов и на их основе различных интегральных микроcхем.

На рис. 4 схематически показана структура МДП-транзистора с изолиро-

ванным затвором. Транзистор состоит из кристалла кремния /например

n-типа/, у поверхности которого диффузией /или ионной имплантацией/ в

окна в оксиде формируются р-области, как показано на рис. 4 а. Одну из

этих областей называют истоком, другую - стоком. Сверху на них нано-

сят омические контакты. Промежуток между областями покрывают пленкой

металла, изолированной от поверхности кристалла слоем оксида. Этот

электрод транзистора называют затвором. Hа границе между р- и п-облас-

тями возникают два р-п-перехода - истоковый и стоковый, которые на ри-

сунке 4 а. показаны штриховкой.

Hа рис. 4 б приведена схема включения транзистора в цепь: к исто-

ку подсоединяют плюс, к стоку - минус источника напряжения .... , к

затвору - минус источника .... . Для простоты рассмотрения будем счи-