Реферат: Принцип действия полевого транзистора

Часто изгиб зон у поверх-

ности выражают в единицах kT

и обозначают Ys. Тогда ....................... .

При формировании приповерхностной области полупроводника могут

встретиться три важных случая: обеднение, инверсия и обогащение этой

области носителями заряда. Эти случаи для полупроводников n- и p-типа

представлены на рис. 3.

Обедненная область появляется в том случае, когда заряд затвора

по знаку совпадает со знаком основных носителей тока (рис.3 а,г). Выз-

ванный таким зарядом изгиб зон приводит к увеличению расстояния от

уровня Ферми до дна зоны проводимости в полупроводнике n-типа и до

вершины валентной зоны в полупроводнике p-типа. Увеличение этого рас-

стояния сопровождается обеднением приповерхностной области основными

носителями. При высокой плотности заряда затвора, знак которого совпа-

дает со знаком заряда основных носителей, по мере приближения к повер-

хности расстояние от уровня Ферми до потолка валентной зоны в полупро-

воднике n-типа оказывается меньше расстояния до дна зоны проводимости.

Вследствии этого, концентрация неосновных носителей заряда /дырок/ у

поверхности полупроводника становится выше концентрации основных носи-

телей и тип проводимости этой области изменяется, хотя и электронов и

дырок здесь мало, почти как в собственном полупроводнике. У самой по-

верхности, однако, неосновных носителей может быть столько же или да-

же больше, чем основных в объеме полупроводника. Такие хорошо проводя-

щие слои у поверхности с типом проводимости, противоположным объемно-

му, называют инверсионными (рис.3 б,д). К инверсионному слою вглубь от

поверхности примыкает слой обеднения.

Если знак заряда затвора противоположен знаку заряда основных но-

сителей тока в полупроводнике, то под его влиянием происходит притяже-

ние к поверхности основных носителей и обогащение ими приповерхностно-