Реферат: Принцип действия полевого транзистора

тные состояния отсутствуют. Тогда свойства поверхностной области, в

отсутствие напряжения на затворе, ничем не отличаются от свойств по-

лупроводников в объеме. Сопротивление между стоком и истоком очень ве-

лико, так как стоковый р-п-переход оказывается под обратным смещением.

Подача на затвор отрицательного смещения сначала приводит к образова-

нию под затвором обедненной области, а при некотором напряжении .....

называемом пороговым, - к образованию инверсионной области, соединяю-

щей р-области истока и стока проводящим каналом. При напряжениях на

затворе выше ...... канал становится шире, а сопротивление сток-исток

- меньше. Рассматриваемая структура является, таким образом,

УПРАВЛЯЕМЫМ РЕЗИСТОРОМ.

Однако сопротивление канала определяется только напряжением на

затворе лишь при небольших напряжениях на стоке. С увеличением .....

носители из канала уходят в стоковую область, обедненный слой у стоко-

вого n-p-перехода расширяется и канал сужается (рис. 4,в). Зависи-

мость тока ..... от напряжения на стоке ....... становится нелинейной.

При сужении канала число свободных носителей тока под затвором

уменьшается по мере приближения к стоку. Чтобы ток в канале был одним

и тем же в любом его сечении, электрическое поле вдоль канала должно

быть, в таком случае, неоднородным, его напряженность должна расти по

мере приближения к стоку. Кроме того, возникновение градиента концен-

трации свободных носителей тока вдоль канала приводит к возникновению

диффузионной компоненты плотности тока.

При некотором напряжении на стоке ........ канал у стока перекры-

вается, при еще большем смещении канал укорачивается к истоку (рис.

4,г). Перекрытие канала однако не приводит к исчезновению тока стока,

поскольку в обедненном слое, перекрывшем канал, электрическое поле тя-

нет дырки вдоль поверхности. Когда носители тока из канала вследствии

диффузии попадают в эту область, они подхватываются полем и перебрасы-