Реферат: Принцип действия полевого транзистора

стехиометрия состава оксидной пленки диэллектрика. Плотность и харак-

тер состояний граници раздела существенно зависят от технологии созда-

ния диэллектрической пленки.

Наличие поверхностных состояний на границе раздела полупроводник

- диэллектрик отрицательно сказывается на параметрах МДП-транзистора,

так как часть заряда, наведенного под затвором в полупроводнике, зах-

ватывается на эти состояния. Успех в создании полевых транзисторов

рассматриваемого типа был достигнут после отработки технологии созда-

ния пленки ....... на поверхности кремния с малой плотностью состоя-

ний границы раздела .......... .

В самом оксиде кремния всегда существует положительный "встроен-

ный" заряд, природа которого до сих пор до конца не выяснена. Значе-

ние этого заряда зависит от технологии изготовления оксида и часто

оказывается настолько большим, что если в качестве подложки ис-

пользуется кремний р-типа проводимости, то у его поверхности образует-

ся инверсионный слой уже при нулевом смещении на затворе. Такие тран-

зисторы называются транзисторами со ВСТРОЕННЫМ КАНАЛОМ. Канал в них

сохраняется даже при подаче на затвор некоторого отрицательного смеще-

ния. В отличие от них в транзисторах, изготовленных на п-подложке, в

которой для образования инверсионного слоя требуется слишком большой

заряд оксида, канал возникает только при подаче на затвор напряжения

....., превышающего некоторое пороговое напряжение ....... . По знаку

это смещение на затворе должно быть отрицательным для транзисторов с

п-подложкой и положительным в случае р-подложки.

К униполярным транзисторам относят также транзисторы с управляю-

щим п-р-переходом, структуру которых схематически представлена на рис.

7,а. Канал проводимости в таких транзисторах представляет собой узкую

область в исходном полупроводнике, не занятую обедненным слоем п-р-пе-

рехода. Шириной этой области можно управлять, подавая на п-р-переход