Курсовая работа: Разработка конструкции топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы

Контр. параметры

I5=15 мА

U5=4±0,5 B

I13=10 мА

U13=15±0,5 B

Рис.1 Схема электрическая принципиальная

Расчет режимов изготовления эпитаксиально-планарного транзистора

Расчет концентраций примеси в отдельных областях транзистора

Расчет концентраций примеси в отдельных областях транзистора с учетом заданного пробивного напряжения.

Определяется из соотношения:

- напряжение пробоя перехода.

В/см – критическое значение напряженности поля для кремния.

Кл – заряд электрона.

- относительная диэлектрическая проницаемость (для кремния 12).

Ф/см – абсолютная диэлектрическая проницаемость.

N – концентрация примеси на слаболегированной стороне перехода, которую надо отнести к наиболее опасному сечению, т.е. к поверхности.

Усредненная , если , а .

а) Концентрация примеси на поверхности подложки:

	Uк-п	Uк-б	Uб-э
VT1…VT3	60	50	5

, при Uпр к-п = 60 В

б) Поверхностная концентрация примеси в коллекторе:

, при Uпр к-б = 50 В.