Курсовая работа: Разработка конструкции топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы

Из (1)

Для этапа загонки примеси в базу можно записать:

, тогда

Примем температуру загонки базы и из графика . мин.

Окончательно: , , , , , мин, мин.

Расчет режимов диффузии эмиттерной области.

Определим концентрацию примеси на уровне перехода Э-Б .

;

; где ; .

Полагая для высоколегированного эмиттера, что , а , то ,т.к. .

Для определения воспользуемся требованием высокой проводимости эмиттера, которая должна иметь удельное поверхностное сопротивление Ом. Примем . Тогда .

Рис. 3. Зависимость удельного сопротивления Si от концентрации примеси при температуре

Из графика приближенно определим концентрацию примеси в эмиттере

Рис. 4. Зависимость подвижности электронов от концентрации доноров в кремнии

Из графика .

Тогда

Поделим на , .

Рис. 5. Графики для определения параметра Dt в эмиттерной области (этап разгонки)

Из графика получим

Концентрация примеси доноров в эмиттере . Пусть ,

Из графиков ,

Отсюда Доза легирования в процессе загонки определяется по формуле Отсюда для процесса загонки примеси в эмиттер (5)

Полагая (6).

При по графику , . Из (6)

Окончательно: ; ; ;

; .