Курсовая работа: Разработка конструкции топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы

Для контроля и проектирования диффузионных резисторов необходимо знать величины поверхностных сопротивлений областей транзистора, которые определяются по формуле: .

1) Определим поверхностное сопротивление коллектора: по графику , при

Для равномерно легированного кремния .

2) Определим поверхностное сопротивление базовой области: где - средняя концентрация введенной примеси; при равномерно легированном коллекторе , – подвижность дырок в области базы, – суммарная концентрация примеси на глубине .

Рис. 6. Зависимость подвижности электронов от концентрации доноров в кремнии при

Рис. 7. Зависимость подвижности дырок от концентрации акцепторов в кремнии при

Из графика , тогда ,

3) Определим поверхностное сопротивление эмиттерной области:

;

Для диффузионных областей, где распределение примеси неравномерно по глубине, разность концентраций должна иметь смысл средней концентрации, нескомпенсированной примеси , найденной в пределах . , где – полная концентрация веденной примеси.

– средняя концентрация р - примеси до .

Находим также как и , только берем , , и .

Получим, что

.

По графику при , тогда .

Окончательно: ;

Топологический расчет транзистора

Цель топологического расчета – получение в плане минимально возможных размеров областей транзистора, которые зависят от мощности рассчитываемой транзистором и следующими топологическими ограничениями.

а) Минимальный размер элемента топологического рисунка аmin обусловленный разрешающей способностью процесса фотографии (4мкм).

б) Максимальное отклонение размера элемента рисунка ±∆1 = 0,5 мкм обусловлены погрешностями размеров элементов рисунков фотошаблона и погрешностями размеров на операциях экспонирования и травления.

в) Погрешностями смещения ±∆2 = ±2 мкм.

г) Боковая диффузия примеси под маскирующий окисел.

При высоких уровнях тока резко проявляется эффект оттеснения эмиттерного тока. Поэтому токонесущая способность транзистора определяется не площадью эмиттера, а периметром. Отсюда при проектировании эмиттера необходимо обеспечить максимальное отношение периметра к площади.

Рассчет эмиттерной области

Размер окна под эмиттерный контакт lЭКмин =аmin = 4мкм.

Примем lЭК = 10мкм