Курсовая работа: Разработка конструкции топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы

Рис.8

lЭП ³ lЭК + 2 ∆2+2 ∆1 = 15 мкм.

При дальнейшем расчете необходимо учесть следующие требования:

а) Расчет вести на наиболее неблагодарное сочетание погрешностей;

б) Отсутствие перекрытия перехода кромкой проводника (уменьшение паразитной емкости);

в) Полное заполнение металлом окна под контакт;

г) Расстояние между боковыми переходами смежных областей равно диффузионной длине не основных носителей.

Рис.9

Учитывая условие б) имеем:

lЭ = lЭП +2∙∆l + 2 ∙∆2=15 + 1 + 4 = 20 мкм

Размер окна под диффузию эммитерной области:

lОЭ = lЭ – 2 ∙ Хпер(Э-Б)= 20 – 4 = 16 мкм.

Периметр эмиттерной области можно определить по формуле:

П = 6 ∙ JЭ1 = 2 ∙ l Э1 + 2 ∙ l Э2 (в мкм) (*)

Jэ – максимальный ток эмиттерной области, мА.

l Э1, l Э2 – длина и ширина эмиттерной области, мкм.

l Э1min =amin=2Xпер Э-Б=4+4=8 мкм

Примем l Э1 = 25 мкм;

Из формулы (*): мкм; при JЭ =20 мА.

Окончательно: l ЭП =15 мкм; lЭК = 10 мкм;

lОЭ = 16 мкм; lЭ=20 мкм;

Расчет размеров базовой области

Топологический расчет базовой области сводится к определению расстояния между переходами в месте расположения базового контакта dБ1

и расстояния dБ2 на участках, где нет контакта.

Размер окна под базовый контакт lБК≥ 2аmin.

Размер базового проводника

lБПмин = lБК + 2∙∆1 + 2∙∆2=8 +1 + 4 = 13 мкм.