Курсовая работа: Разработка конструкции топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы
Рис.8
lЭП ³ lЭК + 2 ∆2+2 ∆1 = 15 мкм.
При дальнейшем расчете необходимо учесть следующие требования:
а) Расчет вести на наиболее неблагодарное сочетание погрешностей;
б) Отсутствие перекрытия перехода кромкой проводника (уменьшение паразитной емкости);
в) Полное заполнение металлом окна под контакт;
г) Расстояние между боковыми переходами смежных областей равно диффузионной длине не основных носителей.
Рис.9
Учитывая условие б) имеем:
lЭ = lЭП +2∙∆l + 2 ∙∆2=15 + 1 + 4 = 20 мкм
Размер окна под диффузию эммитерной области:
lОЭ = lЭ – 2 ∙ Хпер(Э-Б)= 20 – 4 = 16 мкм.
Периметр эмиттерной области можно определить по формуле:
П = 6 ∙ JЭ1 = 2 ∙ l Э1 + 2 ∙ l Э2 (в мкм) (*)
Jэ – максимальный ток эмиттерной области, мА.
l Э1, l Э2 – длина и ширина эмиттерной области, мкм.
l Э1min =amin=2Xпер Э-Б=4+4=8 мкм
Примем l Э1 = 25 мкм;
Из формулы (*): мкм; при JЭ =20 мА.
Окончательно: l ЭП =15 мкм; lЭК = 10 мкм;
lОЭ = 16 мкм; lЭ=20 мкм;
Расчет размеров базовой области
Топологический расчет базовой области сводится к определению расстояния между переходами в месте расположения базового контакта dБ1
и расстояния dБ2 на участках, где нет контакта.
Размер окна под базовый контакт lБК≥ 2аmin.
Размер базового проводника
lБПмин = lБК + 2∙∆1 + 2∙∆2=8 +1 + 4 = 13 мкм.