Курсовая работа: Разработка конструкции топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы
3. В случае пересечения – выполнять его над резистором, кроме проводников питания, которые над резистором выполнять не рекомендуется.
Пример выполнения пересечения над резистором:
Рис.14
Технологические процесс изготовления ИМС
|
А |
005 |
Комплектование |
|
Б |
Комплектовочный стол | |
|
О |
Формировать партию пластин. Уложить в тару цеховую. | |
|
А |
010 |
Гидромеханическая отмывка пластин |
|
Б |
Ванна с раствором ситанола АЛМ-10 | |
|
О |
Операция выполняется в растворе ситанола АЛМ-10 в деионизированной воде с помощью щеток для удаления механических загрязнений и увеличения смачиваемости поверхности пластин. | |
|
А |
015 |
Химическая обработка |
|
Б |
Оборудование — линия “Лада-125” | |
|
О |
Обработка пластин смесью Каро (H2SO4+H2O2) и перикисьно-амиачной смесью для удаления любых органических загрязнений с поверхности полупроводниковых пластин при температуре 90 ºС. | |
|
А |
020 |
К-во Просмотров: 584
Бесплатно скачать Курсовая работа: Разработка конструкции топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы
|