Курсовая работа: Разработка конструкции топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы

Нанесение фоторезиста дискретное.

Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности полупроводниковых пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией используемого фоторезиста ФП-383 на установке нанесения НВ-100.

Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное.

Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой фоторезиста.

Проявление и термообработка фотослоя.

Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль, с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя. Последующая термообработка проводится в два этапа:

1-й этап: 30 минут при температуре 90ºС.

2-й этап: 60 минут при температуре 150ºС

Контроль горизонтальных размеров рисунка.

Удаление фоторезиста в смеси неорганических кислот.

Контроль фотолитографии.

Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к маске.

А

065

Разделительная диффузия бором, I стадия

Б

Диффузионная печь СДО-125/3-12

О

В качестве источника диффузанта используется ВВr3. Диффузия проводится в две стадии.

Первый этап двухстадийной диффузии предназначен для создания поверхностного слоя легирующей примеси повышенной концентрации – источника примеси для второго этапа. Проводится при температуре 940ºС в течение 35 мин.

А

070

Снятие боросиликатного стекла

Б

Установка “08 ПХО 100Т-001”

О

С поверхности кремния удаляется боросиликатное стекло mВ2О3nSiO2. Для травления используется плави­ковая кислота HF.

А

075